[实用新型]适用于太阳能高方阻电池的正电极网版

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种正电极网版，尤其涉及一种适用于太阳能高方阻电池的正电极网版。

背景技术

就现有的光伏产业来说，晶体硅太阳能片中正电极栅线电极作用巨大，其充当收集光生载流子的作用。同时，对于普通P型基体晶硅电池来说，载流子的产生的多少(短路电流的大小)与载流子在收集过程中的损耗多少(串联电阻的大小)很大程度上决定了电池片的电学性能的优劣。

同时，提高电池效率主要是通过密栅线正电极设计配合高方阻发射结来达到：高方阻主要是提高蓝光响应，但是由于方阻高，栅线的横向电阻增大，采取密栅线印刷来降低横向电阻的损耗，达到提升效率的目的。

国内外光伏企业主要采用POCL3液态源扩散来制备高方阻发射结，采用该方法制备的高方阻发射结均匀性较差，片内中心比四周边缘区域方阻值大很多；如采用普通的密栅线网版设计，中心方阻值较大区域串联电阻损耗大，而边缘遮光损失较大，使得整块电池片的效率提升不明显。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种适用于太阳能高方阻电池的正电极网版。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，包括有硅片本体，其中：所述的硅片本体上分布有绒面，所述的绒面上分布有高方阻发射结，所述的高方阻发射结表面分布有氮化硅膜，所述的氮化硅膜上分布有栅线层，所述的栅线层上分布有密集栅线区域与次密栅线区域，所述的密集栅线区域位于栅线层中部。

进一步地，上述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，其中：所述密集栅线区域中栅线之间的间距小于次密栅线区域中栅线之间的间距。

更进一步地，上述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，其中：所述密集栅线区域中栅线的根数大于次密栅线区域中栅线的根数。

更进一步地，上述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，其中：所述次密栅线区域中的栅线等距离分布。

更进一步地，上述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，其中：所述密集栅线区域中的栅线等距离分布。

再进一步地，上述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，其中：所述次密栅线区域中栅线之间的间距向密集栅线区域之间的间距逐次降低。

本实用新型技术方案的优点主要体现在：根据高方阻发射结的均匀性较差特性，设计不等间距栅线的分布方式，解决了中心高方阻值区域串联电阻损耗较大问题以及边缘低方阻区域遮光损耗问题，提高了电池片效率。同时，依托于栅线变化区域的存在，可以降低了印刷时的单耗，节约浆料。再者，本实用型新整体构造简单，易于流水线生产推广。

附图说明

本实用新型的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本实用新型技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本实用新型要求保护的范围之内。这些附图当中，

图1是密集栅线区域中栅线呈等间距分布的构造示意图；

图2是密集栅线区域中栅线呈等差变化分布的构造示意图。

1密集栅线区域

具体实施方式

如图1、图2所示的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，包括有硅片本体，其与众不同之处在于：本实用型新所采用的硅片本体上分布有绒面，在绒面上分布有高方阻发射结。同时，在高方阻发射结表面分布有氮化硅膜，在氮化硅膜上分布有栅线层。并且，按照栅线层按照栅线之间的间距不同，分为密集栅线区域1与次密栅线区域，密集栅线区域1位于栅线层中部。

就本实用新型一较佳的实施方式来看，密集栅线区域1中栅线之间的间距小于次密栅线区域中栅线之间的间距。并且，为了巩固密集分布的效果，密集栅线区域1中栅线的根数大于次密栅线区域中栅线的根数。

进一步来看，为了巩固正电极网版的高方阻电池使用效率，次密栅线区域中的栅线等距离分布。当然，考虑到配合上述的分布效果，密集栅线区域1中的栅线也可以等距离分布。具体可以如图1所示，考虑到区分密集栅线区域1与次密栅线区域，其中间距d1＞间距d2。

再进一步来看，考虑到可以更好的提升本实用型新的的整体效果，次密栅线区域中栅线之间的间距向密集栅线区域1之间的间距逐次降低。具体来说，密集栅线区域1中的栅线间距呈等差变化，其中d1＞dm；d1＞dm-1；dm＝栅线间距的差值+dm-1。

通过上述的文字表述可以看出，采用本实用新型后，根据高方阻发射结的均匀性较差特性，设计不等间距栅线的分布方式，解决了中心高方阻值区域串联电阻损耗较大问题以及边缘低方阻区域遮光损耗问题，提高了电池片效率。同时，依托于栅线变化区域的存在，可以降低了印刷时的单耗，节约浆料。再者，本实用型新整体构造简单，易于流水线生产推广。