[实用新型]适用于太阳能高方阻电池的正电极网版有效

专利信息
申请号: 201220698521.5 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN202965448U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 黄书斌;钱峰;汪燕玲;连维飞;魏青竹 申请(专利权)人: 中利腾晖光伏科技有限公司
主分类号: B41F15/36 分类号: B41F15/36;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215542 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 适用于 太阳能 高方阻 电池 电极
【权利要求书】:

1.适用于太阳能高方阻电池的正电极网版,包括有硅片本体,其特征在于:所述的硅片本体上分布有绒面,所述的绒面上分布有高方阻发射结,所述的高方阻发射结表面分布有氮化硅膜,所述的氮化硅膜上分布有栅线层,所述的栅线层上分布有密集栅线区域与次密栅线区域,所述的密集栅线区域位于栅线层中部。

2.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版,其特征在于:所述密集栅线区域中栅线之间的间距小于次密栅线区域中栅线之间的间距。

3.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版,其特征在于:所述密集栅线区域中栅线的根数大于次密栅线区域中栅线的根数。

4.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版,其特征在于:所述次密栅线区域中的栅线等距离分布。

5.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版,其特征在于:所述密集栅线区域中的栅线等距离分布。

6.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版,其特征在于:所述次密栅线区域中栅线之间的间距向密集栅线区域之间的间距逐次降低。

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