[实用新型]一种N型透明电极结构的功率型LED芯片

权利要求书

1.一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其特征在于从下至上依次包括衬底、缓冲层、本征层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，P型半导体层上端还设有透明导电层和电流阻挡层，透明导电层和电流阻挡层均与P型半导体层接触，且电流阻挡层除上下端面外的侧面均被透明导电层包围，电流阻挡层的上端面部分被透明导电层覆盖，电流阻挡层未被透明导电层覆盖的上端面部分与P电极连接；所述N型半导体层为凸台状，凸台凸出的部分侧面周围设有N型透明电极，凸台突出的部分中间开槽，该槽被N型透明电极覆盖，并且该槽的上方的发光层、P型半导体层和电流阻挡层层均开有相应的槽，N型透明电极的周围与凸台中间开槽的交叉处设有N型焊点处电极。

2.根据权利要求1所述的一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其特征在于：N型透明电极分布在芯片的外围和凸台部分中间的开槽处,该槽位于N型半导体层上面； N型电极焊点处电极的下端面与N型半导体层接触，正下方无透明电极，只是N型电极焊点处电极的边缘接触到透明电极，N电极焊点处沉积金属电极合金，N型电极焊点处既和正下方的N型半导体层形成很好的欧姆接触，又和边缘处的透明电极形成良好的接触。

3.根据权利要求1所述的一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其特征在于：所述的N型透明电极的宽度为5um~20um。

4.根据权利要求1所述的一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其特征在于：所述的N型透明电极的边缘离P型半导体层边缘的水平距离为2um~10um。

5.根据权利要求1所述的一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其特征在于：所述的N型透明电极的厚度为1500埃~5000埃。