[实用新型]贴面封装二极管的高强度料片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种贴面封装二极管，尤其涉及一种贴面封装二极管的高强度料片。

背景技术

目前，大功率贴面封装二极管的需求量和发展是当今热点并会非常迅速，随着产品线路板小型化而使产品小型化的发展趋势，特别是对大功率小型化贴面封装二极管发展更为迅速。为了保证贴片封装二极管大功率、小体积的需求，同时为了提高加工效率，本发明人发明了双料片结构的贴面封装二极管，即在硅芯片的两面分别焊接上料片和下料片，这种二极管在加工时不用连接片，所以操作简单、效率高，该技术在本申请人提出的其它专利中体现。这种结构中，若采用现有的规则形状的料片，则可能因料片受到外界拉力或压力而致与之连接硅芯片受到损坏，从而使整个贴面封装二极管性能下降或丧失二极管性能。

发明内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种贴面封装二极管的高强度料片。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

本实用新型所述贴面封装二极管包括上料片和下料片，所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间通过焊料焊接有硅芯片；本实用新型所述高强度料片的结构为：所述上料片的中部两侧分别设有向两侧外延的凸块，所述上料片的中部两侧与所述凸块相接的位置分别设有向中间内缩的凹槽。

作为优选，所述凸块为方形，其宽度为0.5至0.8mm，其外延长度为0.2至0.5mm；所述凹槽为方形，其宽度为0.3至0.6mm，其内缩长度为0.2至0.5mm。

进一步，所述下料片的下端片的引出位置设有向上内缩的凹口。

作为优选，所述凹口为半圆形，其直径为0.3mm。

所述硅芯片为肖特基硅芯片。

所述上料片和所述下料片均为铜片。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型通过在上料片上设置凸块和凹槽，并在下料片上设置凹口，增强了上料片和下料片的抗压、抗拉能力，从而增强了整个贴面封装二极管的抗机械应力能力。

附图说明

图1是本实用新型所述贴面封装二极管的主视结构示意图；

图2是本实用新型所述贴面封装二极管的右视结构示意图；

图3是本发明所述上料片的主视图；

图4是本发明所述下料片的主视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图1和图2所示，图中虽标记了封装环氧树脂1，但为了示出其它部件，所以图中对封装环氧树脂1作了透明处理，所以图中示出的1仅表示封装环氧树脂的一个区域。本实用新型所述贴面封装二极管料片包括上铜片3和下铜片2，上铜片3的下段侧表面与下铜片2的下段侧表面之间通过焊料9焊接有肖特基硅芯片8，封装环氧树脂1封装于肖特基硅芯片8、上铜片3和下铜片2的外面，上铜片3的上端片10、下铜片2的下端片11和下铜片2的外表面均置于封装环氧树脂外。

如图3所示，为了增强上铜片3的抗拉能力，上料片3的中部两侧分别设有向两侧外延的凸块7，上料片的中部两侧与凸块7相接的位置分别设有向中间内缩的凹槽6；凸块7为方形，其宽度为0.8mm，其外延长度为0.3mm；凹槽6为方形，其宽度为0.4mm，其内缩长度为0.3mm。

如图4所示，为了增强下铜片2的抗拉能力，下铜片2的下端片11的引出位置设有向上内缩的半圆形凹口4，其直径为0.3mm。图4中还示出了下铜片2上设置的用于阻挡焊料9流出至边缘的环形防流沉槽5。

通过在上铜片3上设置凸块7和凹槽6，在下铜片2上设置半圆形凹口4，增强了上铜片3和下铜片2的抗压、抗拉能力，从而增强了整个贴面封装二极管的抗机械应力能力。