[实用新型]贴面封装二极管的高强度料片有效
| 申请号： | 201220691184.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN202957234U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 安国星;李述洲 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贴面 封装 二极管 强度 | ||
【权利要求书】：
1.一种贴面封装二极管的高强度料片，所述贴面封装二极管包括上料片和下料片，所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间通过焊料焊接有硅芯片；其特征在于：所述上料片的中部两侧分别设有向两侧外延的凸块，所述上料片的中部两侧与所述凸块相接的位置分别设有向中间内缩的凹槽。
2.根据权利要求1所述的贴面封装二极管的高强度料片，其特征在于：所述凸块为方形，其宽度为0.5至0.8mm，其外延长度为0.2至0.5mm；所述凹槽为方形，其宽度为0.3至0.6mm，其内缩长度为0.2至0.5mm。
3.根据权利要求1或2所述的贴面封装二极管的高强度料片，其特征在于：所述下料片的下端片的引出位置设有向上内缩的凹口。
4.根据权利要求3所述的贴面封装二极管的高强度料片，其特征在于：所述凹口为半圆形，其直径为0.3mm。
5.根据权利要求1所述的贴面封装二极管的高强度料片，其特征在于：所述硅芯片为肖特基硅芯片。
6.根据权利要求1所述的贴面封装二极管的高强度料片，其特征在于：所述上料片和所述下料片均为铜片。
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