[实用新型]防水引线框架有效

专利信息
申请号: 201220689028.7 申请日: 2012-12-13
公开(公告)号: CN202977409U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 吕劲锋 申请(专利权)人: 深圳深爱半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 防水 引线 框架
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域,特别是涉及一种防水引线框架。

背景技术

在采用引线框架封装半导体器件的过程中,当芯片放在引线框架的芯片部后需要进行塑封,为了使塑封后的半导体器件具有一定的防水性能,目前的引线框架通常在芯片部的边缘开设有V型槽或燕尾槽,并在V型槽或燕尾槽内侧设有密封槽,V型槽或燕尾槽以及密封槽的设置可以增强引线框架与塑封料的结合强度,从而使半导体器件具有一定的防水性能。但是目前的引线框架,其V型槽或燕尾槽与密封槽组合的宽度较大,占用芯片部的面积较大,从而芯片部上形成的芯片放置区的面积受到限制,不利于较大芯片的封装。

实用新型内容

基于此,有必要提供一种有利于较大芯片封装的防水引线框架。

一种防水引线框架,包括芯片部,所述芯片部的边缘处设有凹凸结构,所述凹凸结构的宽度为0.49~0.51毫米,所述凹凸结构的内侧还设有密封槽,所述密封槽的宽度为0.24~0.26毫米。

在其中一个实施例中,所述密封槽内部区域形成芯片放置区,用于粘贴待封装的芯片。

在其中一个实施例中,所述凹凸结构的宽度为0.5毫米,所述密封槽的宽度为0.25毫米。

在其中一个实施例中,还包括连接部及散热部,所述芯片部包括顶部、底部及连接所述顶部与底部的相对两侧,所述顶部通过所述连接部与所述散热部连接。

在其中一个实施例中,所述芯片部的两侧以及连接部均设有所述凹凸结构。

在其中一个实施例中,还包括管脚,连接于所述芯片部的底部,所述芯片部的两侧以及与所述管脚连接处均设有所述密封槽。

在其中一个实施例中,所述凹凸结构为锯齿状结构。

在其中一个实施例中,所述密封槽为网格状结构。

上述防水引线框架,在芯片部的边缘处设有宽度为0.49~0.51毫米的凹凸结构,在凹凸结构的内侧还设有宽度为0.24~0.26毫米的密封槽。与目前V型槽或燕尾槽和密封槽组合的宽度相比,该凹凸结构和密封槽组合的宽度具有更小的宽度,不会占用芯片部较大的面积,如此,芯片部上可以形成更大面积的芯片放置区,有利于较大芯片的封装。

附图说明

图1为本实施方式的防水引线框架的正视图;

图2为本实施方式的防水引线框架的芯片部与连接部的结构示意图。

具体实施方式

为了解决目前防水引线框架的防水结构限制芯片放置区的可用面积,不利于较大芯片封装的问题,本实施方式提供了一种防水引线框架。下面结合具体的实施例,对防水引线框架进行具体的描述。

请参考图1,本实施方式提供的防水引线框架,包括多个独立单元100,每个独立单元包括芯片部110、散热部120、连接部130以及管脚140。

芯片部110包括顶部、底部及连接顶部与底部的相对两侧。连接部130连接于芯片部110的顶部,用于连接芯片部110和散热部120。管脚140连接于芯片部110的底部。

请参考图2,为了使防水引线框架具有防水功能,芯片部110的边缘处设有宽度为0.49~0.51毫米的凹凸结构112。在本实施方式中,具体为芯片部110的两侧以及连接部130均设置有宽度为0.5毫米的锯齿状结构的凹凸结构112。

为了进一步增强防水引线框架的防水功能,凹凸结构112的内侧还设有密封槽116。在本实施方式中,具体为芯片部110的两侧以及与管脚140连接处均设有宽度为0.25毫米的网格状结构的密封槽116。

密封槽116内部的区域形成芯片放置区114,用于粘贴待封装芯片。

上述防水引线框架,在芯片部110的边缘处设有凹凸结构112,且凹凸结构112的内侧还设有密封槽116,增加了引线框架与塑封料的接触面积,使得采用上述防水引线框架封装的半导体器件具有较好的防水性能。凹凸结构112的宽度设置为0.5毫米,密封槽116的宽度设置为0.25毫米,与目前V型槽或燕尾槽和密封槽组合的宽度相比,该凹凸结构112和密封槽116组合具有更小的宽度,不会占用芯片部110较大的面积,如此,芯片部110上可以形成更大面积的芯片放置区114,有利于较大芯片的封装。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳深爱半导体股份有限公司,未经深圳深爱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220689028.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top