[实用新型]半导体装置

权利要求书

一种半导体装置，其特征在于，包括：

晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及

第1及第2保护电路，一端共同与所述栅极电极连接，另一端分别与所述第1电极及第2电极连接，

所述第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。

根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1保护电路包括：第1导电型的第1中央部，配置于所述第1多晶硅层的中央部；第2导电型的第1带状部，呈环状配置于该第1中央部的外侧；以及第1导电型的第2带状部，呈环状配置于该第1带状部的外侧，

所述第2保护电路包括：第1导电型的第2中央部，配置于所述第2多晶硅层的中央部；第2导电型的第3带状部，呈环状配置于该第2中央部的外侧；以及第1导电型的第4带状部，呈环状配置于该第3带状部的外侧，

将所述第1中央部及第2中央部通过栅极布线膜共同与所述栅极电极连接，将所述第2带状部与所述第1电极连接，将所述第4带状部与所述第2电极连接。

根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极布线膜在与所述第1及第2多晶硅层重合的区域中具有栅极焊盘。

根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1多晶硅层内的所述第2带状部在芯片边缘侧与所述第1电极连接。

根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1及第2保护电路的配置区域在将双方对接时大致呈正方形的形状。

根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1中央部及第2中央部中的至少一方在从与基板垂直的方向观察时呈L字形状。

根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1中央部及第2中央部中的另一方在从与基板垂直的方向观察时呈L字形状或者正方形的形状。

根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1保护电路在所述第1中央部与第2带状部之间还包括其他的环状的第1导电型的带状部及其他的环状的第2导电型的带状部，

所述第2保护电路在所述第2中央部与第4带状部之间还包括其他的环状的第1导电型的带状部及其他的环状的第2导电型的带状部。

根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1保护电路还具有在所述第2带状部的外侧呈环状配置的带状的扩散电阻，

所述第1电极取代所述第2带状部而与所述扩散电阻的外侧连接。

根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管是MOSFET或绝缘栅极双极晶体管。