[实用新型]一种双KTP倍频和电光调Q集成器件

说明书

技术领域：

本发明涉及一种电光Q开关器件，具体为一种在激光器中能实现倍频非线性效应并能进行电光调Q的器件。

背景技术：

KTP类晶体具有大的有效非线性系数和良好的电光性能，因此利用该类晶体研制光倍频和电光复用器件的研究引起了人们极大的兴趣。1994年，日本T. Takunori等用一块1×3×5mm³ 的KTP晶体，对Nd:YVO₄输出的1064nm激光实现了同时倍频和调Q。在重复频率100Hz时，调制得到脉宽为18ns的532nm脉冲激光输出，峰值功率为15.4W （Takunori Taira, Takao Kobayashi. Q-switching and frequency doubling of solid-state laser by a single intracavity KTP crystal [J], IEEE. J. Quantum Eleronies, 1994, 30(3): 800-804）。1995年，他们又实现了峰值功率230W的绿光输出（Takunori Taira, Takao Kobayashi. Intraeavity frequency doubling and Q-switching in diode laser pumped Nd:YVO₄ laser [J], Applied Optics 1995, 34(21): 4298-4301）。1997年，姚建铨等对KTP晶体倍频调Q时的匹配角和外加电压进行了计算 （J. Q. Yao, X. W. Sun, H. S. Kwok. Analysis of simultaneous Q-switching and frequency doubling in KTP [J], Journal of modern optics, 1997, 44(5): 997-1004）。2000年，陈飞等采用2×4×10mm³的KTP晶体，在重复频率为1kHz，l/4电压647V，泵浦功率1W时，实现了脉宽12ns、峰值功率762W的TEM₀₀模输出，并实现了器件化，整个体积只有半个彩色胶卷大小（陈飞，霍玉晶，新型电光调Q内腔绿光激光器[J]，中国工程科学，2000，2(4): 39-42）。以上方案中以KTP作为倍频和电光Q开关器件，都用了一块KTP晶体，按照相位匹配角度切割，在激光器中电光调Q时采用加压工作方式。但KTP晶体存在静态双折射相位延迟，影响到电光调Q的关门效果；而且按照常温下的相位匹配角度切割，在倍频时存在走离角，影响到倍频转换效率和输出光的光束质量；采用加压工作方式，电光调Q和倍频作用在同一时间发生，电压改变晶体折射率，从而影响到倍频效果。

发明内容：

本发明针对现有技术的不足，提供一种无走离角且能消除静态双折射相位延迟的双KTP倍频和电光调Q集成器件。

本发明实现以上目的采取的方案为：一种双KTP倍频和电光调Q集成器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括两块非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体；在第一块KTP晶体的上通电面镀金膜，下通电面镀金膜，在相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体的前通电面镀金膜，后通电面镀金膜；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜和第二块KTP晶体的前通电面镀金膜引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜和第二块KTP晶体的后通电面镀金膜引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。

作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体为低电导率的KTP晶体。

作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体用温度控制实现倍频相位匹配。

作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体的通光面为正方形。

作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体相对的内通光面用绝缘透明的光胶相连，外通光面镀1064nm和532nm双色增透膜。

作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体依次放置，内通光面和外通光面镀1064nm和532nm双色增透膜。