[实用新型]一种双KTP倍频和电光调Q集成器件有效

申请号：	201220658086.3	申请日：	2012-12-04
公开（公告）号：	CN202997296U	公开（公告）日：	2013-06-12
发明（设计）人：	张会云;张晓;尹贻恒;张洪艳;刘蒙;张玉萍	申请（专利权）人：	山东科技大学
主分类号：	H01S3/115	分类号：	H01S3/115;H01S3/109
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	266590 山东省青岛***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	一种 ktp 倍频电光集成器件
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【权利要求书】：

1. 一种双KTP倍频和电光调Q集成器件，包括外壳、电极、电光晶体，其特征在于：

电光晶体包括两块非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体（1）和相对第一块KTP晶体（1）旋转90°放置的KTP晶体（2）；

在第一块KTP晶体（1）的上通电面镀金膜（3），下通电面镀金膜（4），在相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体（2）的前通电面镀金膜（5），后通电面镀金膜（6）；从第一块KTP晶体（1）的上通电面镀金膜（3）和第二块KTP晶体（2）的前通电面镀金膜（5）引出金线，连接到正电极（7）；从第一块KTP晶体（1）的下通电面镀金膜（4）和第二块KTP晶体（2）的后通电面镀金膜（6）引出金线，连接到负电极（8）；

器件电光调Q作用时采用退压工作方式。

2. 根据权利要求1所述的一种双KTP倍频和电光调Q集成器件，其特征在于：

第一块KTP晶体（1）和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体（2）为低电导率的KTP晶体。

3. 根据权利要求1所述的一种双KTP倍频和电光调Q集成器件，其特征在于：

第一块KTP晶体（1）和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体（2）的通光面为正方形。

4. 根据权利要求1所述的一种双KTP倍频和电光调Q集成器件，其特征在于：

第一块KTP晶体（1）和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体（2）相对的内通光面用绝缘透明的光胶相连，外通光面镀1064nm和532nm双色增透膜。

5. 根据权利要求1所述的一种双KTP倍频和电光调Q集成器件，其特征在于：

第一块KTP晶体（1）和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的KTP晶体（2）依次放置，内通光面和外通光面镀1064nm和532nm双色增透膜。

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