[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)显示技术的不断发展，越来越多的新技术不断地被提出和应用。基于ADS(ADvanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称ADS，高级超维场转换技术)模式的TFT-LCD凭借其低功耗、宽视角等特点，得到了越来越多人们的关注。

ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技术的TFT-LCD产品不仅在画面品质上有所提高，且具有高分辨率、高透过率、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。

对于ADS型TFT-LCD而言，公共电极需要制作在阵列基板上，这就在ADS型TFT-LCD的阵列基板制作过程中需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。因此在现有技术中通常需要通过7次构图工艺制造ADS型TFT-LCD阵列基板，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。构图工艺的次数过多将直接导致显示装置产品的成本上升，因此如何能够进一步减少构图工艺的次数也就成为了人们日益关注的问题。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以减少在阵列基板的制造过程中构图工艺的次数，有效降低产品的生产成本。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，还包括：

依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏金属层薄膜；

所述金属氧化物薄膜的图形、所述刻蚀阻挡层薄膜的图形以及所述源漏金属层薄膜的图形通过一次构图工艺形成；

通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。

所述刻蚀阻挡层的图形位于所述金属氧化物薄膜图形表面，且覆盖TFT的沟道区域。

所述通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域还包括：

半导体有源层，所述半导体有源层位于所述刻蚀阻挡层下；

用于与所述TFT的源极电连接的源连接电极以及第一透明电极；

所述通过构图工艺处理的所述源漏金属层薄膜包括TFT的源极和漏极以及数据线。

所述阵列基板还包括：

位于所述透明基板和所述金属氧化物薄膜之间的栅线、栅电极以及公共电极线；

位于所述栅线、所述栅电极以及所述公共电极线和所述金属氧化物薄膜之间的栅绝缘层。

所述阵列基板还包括：

位于所述数据线、所述TFT的源极以及所述TFT的漏极的表面的含有第一过孔的钝化层，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，露出公共电极线；

位于所述钝化层表面的用于连接所述TFT的源极与所述源连接电极、所述TFT的漏极与所述第一透明电极的连接电极以及第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第一过孔与所述公共电极线电连接。

所述阵列基板还包括：

位于所述透明基板和所述金属氧化物薄膜之间的栅线、栅电极以及公共电极线；

位于所述栅线、所述栅电极以及所述公共电极线和所述金属氧化物薄膜之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔用于连接所述第一透明电极与所述公共电极线。

所述阵列基板还包括：

位于所述数据线、所述TFT的源极以及所述TFT的漏极的表面的具有第三过孔的钝化层，所述第三过孔贯穿所述钝化层，露出所述TFT的漏极；

位于所述钝化层表面的用于连接所述TFT的源极与所述源连接电极的连接电极以及第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第三过孔与所述TFT的漏极电连接。

所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或，

所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

所述金属氧化物薄膜采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料，包括：InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。

本实用新型实施例的另一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的阵列基板。