[实用新型]一种双面发光的LED芯片和LED器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种双面发光的LED芯片，特别是涉及一种采用该双面发光的LED芯片的LED器件。 

背景技术

在现有LED( Light Emitting Diode，发光二极管)的制造技术中，LED发光器件的封装通常是在蓝光芯片上制作pn结电极，在电极上打制金线（金线是连接LED芯片与外部接线管脚的连接线），将芯片电极与外部管脚连接，然后在芯片上涂覆荧光粉，公开日为2006年11月8日、公开号为CN 1858920A的中国发明专利申请“一种白光LED灯的封装方法”和公开日为2009年8月26日、公开号为CN 101514805A的 

中国发明专利申请“一种LED封装结构及其实现方法”中对于LED芯片的现有封装方式、封装结构均有较详细的公开和披露；通过对上述资料的分析可知，现有技术路线存在有以下主要缺点： 

1、 所制造的LED器件只能在顶部单向发光，只有一个出光面； 

2、 面向底部的光线需要通过特制的反射层反射，通过顶部发光，其发光效率大大降低；

3、 单面发光使得目前的LED器件只能是一个半球形光源，极大限制了LED在应用能力。 

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种双面发光的LED芯片。 

本实用新型的技术方案如下：一种双面发光的LED芯片，包括LED芯片和荧光材料层，所述荧光材料层连接于所述LED芯片的正负两极面上，所述荧光材料层和所述LED芯片的正负两极面之间还设置有导电层，所述导电层包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层涂覆于所述LED芯片的正负两极面上；所述第二导电层涂覆于所述荧光材料层上；所述第一导电层和第二导电层通过共晶反应结合在一起。 

优选的，所述LED芯片为垂直结构。 

优选的，所述双面发光的LED芯片还设置有芯片电极，所述芯片电极为设置于所述第一导电层和/或第二导电层上的导电焊接层。 

优选的，所述的荧光材料层为石榴石类荧光材料单晶体材质或石榴石类荧光材料陶瓷材质或石榴石类荧光材料玻璃材质。 

优选的，所述第一导电层和第二导电层均为透明导电薄膜，所述透明导电薄膜包括金属膜系列、透明导电氧化物膜系列、高分子膜系列、复合膜系列和化合物膜系列导电薄膜。 

优选的，所述透明导电薄膜是铟锡氧化物透明导电膜或Ni-Au导电膜或金锡膜。 

优选的，所述透明导电薄膜与所述LED芯片的正负极面接触。 

本发明还提供另一个技术方案，一种LED器件，包括如上所述的双面发光的LED芯片和外引支架电极，所述外引支架电极与所述芯片电极封装在一起，所述芯片电极与外引支架电极之间建立电连接通道。 

采用以上技术方案的有益效果：一、本技术方案中的双面发光的LED芯片不需要在LED芯片的表面制造金电极，简化了LED芯片制程工艺；二、消除了传统LED芯片上金电极对LED芯片的发光阻挡，可以有效增加蓝光芯片的出光面积，提高LED出光效率；三、所制成的LED器件具有球形光源特征，大大拓展其应用领域。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本实用新型公开的双面发光的LED芯片的结构示意图； 

图2是本实用新型公开的双面发光的LED芯片的并联结构示意图；

图3是本实用新型公开的双面发光的LED芯片的串联结构示意图。

图中的数字或字母所代表的相应部件的名称： 

   11.LED芯片正极面  12.LED芯片负极面  211.正极第一导电层  212.负极第一导电层  221.正极第二导电层  222.负极第二导电层  31.正极荧光材料层  32.负极荧光材料层  41.正极芯片电极  42.负极芯片电极  5.外引支架电极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 

实施例1