[实用新型]一种双面发光的LED芯片和LED器件有效

专利信息
申请号: 201220640581.1 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN202940270U 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 梁月山 申请(专利权)人: 昆山开威电子有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/62;H01L33/36
代理公司: 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 代理人: 魏亮芳
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 双面 发光 led 芯片 器件
【权利要求书】:

1.一种双面发光的LED芯片,包括LED芯片和荧光材料层,所述荧光材料层连接于所述LED芯片的正负两极面上,其特征在于,所述荧光材料层和所述LED芯片的正负两极面之间还设置有导电层,所述导电层包括第一导电层和第二导电层;所述第一导电层涂覆于所述LED芯片的正负两极面上;所述第二导电层涂覆于所述荧光材料层上;所述第一导电层和第二导电层通过共晶反应结合在一起。

2.根据权利要求1所述的双面发光的LED芯片,其特征在于,所述LED芯片为垂直结构。

3.根据权利要求2所述的双面发光的LED芯片,其特征在于,所述双面发光的LED芯片还设置有芯片电极,所述芯片电极为设置于所述第一导电层和/或第二导电层上的导电焊接层。

4.根据权利要求1-3任一所述的双面发光的LED芯片,其特征在于,所述的荧光材料层为石榴石类荧光材料单晶体材质或石榴石类荧光材料陶瓷材质或石榴石类荧光材料玻璃材质。

5.根据权利要求4所述的双面发光的LED芯片,其特征在于,所述第一导电层和第二导电层均为透明导电薄膜,所述透明导电薄膜包括金属膜系列、透明导电氧化物膜系列、高分子膜系列、复合膜系列和化合物膜系列导电薄膜。

6.根据权利要求5所述的双面发光的LED芯片,其特征在于,所述透明导电薄膜是铟锡氧化物半导体透明导电膜或Ni-Au导电膜。

7.根据权利要求6所述的双面发光的LED芯片,其特征在于,所述透明导电薄膜与所述LED芯片的正负极面接触。

8.一种LED器件,其特征在于,包括如权利要求7所述的双面发光的LED芯片和外引支架电极,所述外引支架电极与所述芯片电极封装在一起,所述芯片电极与外引支架电极之间建立电连接通道。

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