[实用新型]防着板、防着板-靶材组件及等离子体溅射设备

说明书

技术领域

本实用新型属于等离子体技术领域，具体涉及一种防着板和防着板-靶材组件及等离子体溅射设备。

背景技术

在沉积镀膜工艺中，尤其是薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的生产制造过程中，需要使用等离子体溅射设备、例如使用磁控溅射机进行镀膜。采用磁控溅射机进行镀膜时，磁控溅射机中的溅射源在电场的作用下产生加速电子，这些加速电子与磁控溅射机真空腔中预先充入的惰性气体碰撞得到带正电的粒子，带正电的粒子受到阴极(靶材)的吸引而撞击靶材表面的原子，这些原子因受到带正电的粒子的撞击而获得动量转移，进而产生垂直靶材表面的作用力，将靶材表面的原子碰撞出去而沉积在被镀物上完成镀膜。

为防止靶材原子溅射到被镀物以外的其它位置，需要在真空腔室中设置防着板，例如，腔室的四周。目前高世代TFT-LCD生产线所用的铟锡氧化物（ITO）立式磁控溅射设备中，ITO靶材通常是多联的，例如12块ITO靶材并排排列称为12联靶材。然而，每两联（块）ITO靶材之间的边缘由于ITO粉尘的回落沉积，会形成一定的非侵蚀区域，且镀膜工艺中形成颗粒和缺陷较多，良品率下降；并且长时间沉积可能造成短路。

为了防止ITO粉尘回落到靶材上需要设置防着板，该防着板能附着ITO粉尘保护靶材，但使用一段时间后，防着板的附着ITO粉尘的能力下降，需要对防着板进行更换。

同时，防着板能减少靶材的非侵蚀区域，从而减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，防止良品率下降。

防着板的形状以及与靶材之间相对位置关系影响非侵蚀区域的大小，现有技术常见的防着板如图1所示，靶材2和防着板1并排放置，防着板1在垂直于靶材2方向上与靶材2没有重叠的部分，使防着板1不能有效的遮挡ITO粉尘回落至靶材2，造成非侵蚀区域4较大，在5mm以上。非侵蚀区域4较大会缩短防着板的使用寿命，造成需要更频繁地更换防着板，增加了人工工作量，而且使磁控溅射设备的停机和恢复时间延长，稼动率较低。因此，设计合适形状的防着板降低非侵蚀区域成为研发的重点。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种减少非侵蚀区域，延长更换周期的防着板。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种防着板，设置于设有靶材的等离子体溅射设备中，所述的防着板包括用于遮挡靶材上表面边缘的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等离子体轰击的表面。

具有突出部的防着板能够防止ITO粉尘回落到靶材上；同时，防着板能减少靶材的非侵蚀区域，延长了防着板的更换周期，从而减少镀膜工艺中形成颗粒和缺陷，防止镀膜的良品率下降。

优选的是，所述突出部的纵截面为矩形。

优选的是，所述防着板的突出部具有向外倾斜的侧面。

优选的是，所述的防着板还具有设在靶材侧方的支撑部，所述突出部连接于所述支撑部。

优选的是，所述防着板的支撑部的两侧各连接有一个突出部。

本实用新型的另一目的是提供一种减少非侵蚀区域，延长更换周期的防着板-靶材组件。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种防着板-靶材组件，包括靶材和设在靶材边缘处的防着板，所述的防着板包括用于遮挡靶材上表面边缘的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等离子体轰击的表面。

优选的是，所述的靶材的纵截面为矩形。

优选的是，所述的靶材靠近防着板的一侧具有从靶材中心向外向下倾斜的上表面。

本实用新型的另一目的是提供一种稼动率高的等离子体溅射设备。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种等离子体溅射设备包括上述的防着板-靶材组件。

本实用新型通过测试选取适当的形状防着板和防着板-靶材组件，减少了非侵蚀区域，延长了防着板的更换周期，提升了等离子体溅射设备的稼动率，同时使镀膜工艺的良品率得到了提升。

附图说明

图1为现有技术的防着板的纵向剖面示意图。

图2为本实用新型实施例1的一种防着板的纵向剖面示意图。

图3为本实用新型实施例1的另一种防着板的纵向剖面示意图。

图4为本实用新型实施例2的一种靶材-防着板组件的纵向剖面示意图。

其中：1.防着板；2.靶材；3.突出部；4.非侵蚀区域；5.支撑部；6.上表面。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1