[实用新型]下沉式标准机械界面设备有效
申请号: | 201220603704.4 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN202957223U | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 许亮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 下沉 标准 机械 界面 设备 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体制造领域,涉及一种标准机械界面(Standard Mechanical Interface,简称SMIF)设备,特别是涉及一种下沉式标准机械界面设备。
背景技术
在半导体制程中,周遭的微粒或制程中所产生的微粒污染将直接影响晶片的良率。为了减少微粒污染,提高晶片的良率,标准机械界面(SMIF)系统得到了快速发展,其不仅促进了半导体晶片的制造自动化,同时也降低了半导体制程储存和传送晶片时,微粒落到晶片的机会。
SMIF有多种类型,对于下沉式SMIF,装载晶片的晶圆盒放置在底座上,晶圆盒的盒盖被底座周围的框架卡住,晶圆盒的底板连接在底座上,底座下沉时,晶圆盒的底板也随之下沉,与盒盖分离,使晶圆盒开启,然后机械手可从晶圆盒内取放晶片。现有技术中,下沉式SMIF采用背封口,即晶圆盒放置在底座上时,其四个侧面中有三个是封闭的,只有一个侧面是开放的,机械手从此开放的侧面进入操纵晶圆盒内的晶片。而晶片往往是从该开口的侧面受到污染。由于晶圆盒内的气压与外界气压不一致,在开启晶圆盒时会引起晶圆盒开启处气体的扰动,将外在环境的微粒从开口的侧面带入晶圆盒,使晶片受到污染,特别是晶圆盒最下面的晶片受污染的程度最高,从而影响半导体制程以及产品的良率。并且被微粒污染的晶片还会进一步污染机台,增加了清理机台的时间和频率,降低了机台的运行时间。
因此,如何降低由晶圆盒开启而产生的污染,提高晶片良率,实已成为业界亟待解决的问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种下沉式标准机械界面设备,用于解决现有技术中开启晶圆盒时由于压力变化和气体扰动使晶片受到污染的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种下沉式标准机械界面设备,该设备至少包括:控制模块,连接于所述控制模块的阀门,连接于所述阀门的晶圆盒承载装置以及放置于所述晶圆盒承载装置上的晶圆盒;所述晶圆盒包括一晶圆盒底板以及与所述晶圆盒底板配合的晶圆盒盖;所述晶圆盒承载装置包括一输气管道以及与所述输气管道连接的至少一个承载组件;所述输气管道包括进气端和出气端,所述进气端与所述阀门连接;所述承载组件包括:一框架以及位于所述框架内并相对于所述框架升降的底座;所述框架的一侧边固定于所述输气管道上,所述输气管道上与该侧边对应的位置设有一组连通所述输气管道的喷气嘴。
可选地,所述框架上设有自动卡住或释放所述晶圆盒盖的自动卡固装置。
可选地,所述晶圆盒底板连接于所述底座上。
可选地,所述喷气嘴的开口方向朝下,且与垂直方向的夹角为0~80度。
可选地,所述承载组件的数量为1~10个。
可选地,一组喷气嘴的数量为3~20个。
可选地,所有喷气嘴的开口方向一致。
如上所述,本实用新型的下沉式标准机械界面设备,具有以下有益效果:能够通过控制模块控制阀门的开关,在晶圆盒开启之前使阀门先开启,洁净的气体进入晶圆盒盖一侧边的通气管道,并从喷气嘴里喷出,驱走晶圆盒盖与晶圆盒底板闭合处周围的脏空气,然后底座下沉,使晶圆盒开启,此时气体继续喷一定时间,避免周围的微粒通过晶圆盒开启处落到晶片上使晶片受到污染,然后控制模块控制阀门关闭,使喷气停止。由于晶片主要是在晶圆盒开启时容易受到污染,而本实用新型的下沉式标准机械界面设备能够保证晶圆盒开启时开口附近的气氛为洁净的,有效地避免晶片受到污染,使晶片的良率得到提高,降低了成本。
附图说明
图1显示为本实用新型的下沉式标准机械界面设备的结构示意图。
图2显示为本实用新型的下沉式标准机械界面设备的晶圆盒承载装置及晶圆盒另一侧面的结构示意图。
图3显示为本实用新型的下沉式标准机械界面设备在晶圆盒开启瞬间的结构示意图。
图4显示为本实用新型的下沉式标准机械界面设备包括四个承载组件时的仰视结构示意图。
元件标号说明
110 控制模块
120 阀门
130 晶圆盒承载装置
131 输气管道
1311 进气端
1312 出气端
1313 喷气嘴
132 承载组件
1321 框架
1322 底座
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造