[实用新型]避免打线造成晶片断裂的多晶片堆叠封装结构

说明书

技术领域

本实用新型有关于半导体封装结构，特别是有关于一种避免打线造成晶片断裂的多晶片堆叠封装结构。

背景技术

在半导体封装结构中，取代晶片侧对侧(side-by-side)的设置方式，晶片堆叠在晶片上的多晶片堆叠封装结构更能节省封装尺寸，常见晶片堆叠过程为安装晶片、打线连接、安装间隔片、再安装晶片等重复步骤，其中各安装步骤中都需要使胶固化的加热过程。然而，目前使用打线连接的多晶片堆叠封装结构会随着晶片堆叠数量的增加产生重复过程太多、封装厚度增加甚至制作良率降低的问题。

图1绘示了现有的打线造成晶片断裂的多晶片堆叠封装结构300的截面示意图，图2绘示了该多晶片堆叠封装结构300在打线过程中造成上方晶片断裂的示意图。该多晶片堆叠封装结构300主要包括一具有线路结构的基板310，用以承载一第一晶片320，当该第一晶片320安装于该基板310之后，打线形成多个第一焊线351，以电性连接该第一晶片320的第一焊垫323至该基板310的接指311，再安装一如胶带、虚晶片等间隔片330于该第一晶片320上，之后安装一第二晶片340于该间隔片330上，打线形成多个第二焊线352，以电性连接该第二晶片340的第二焊垫343至该基板310的接指311。待所有晶片都安装在该基板310上并且逐次完成个别晶片的打线操作后，模封形成一封胶体360于该基板310，以密封晶片320、340与焊线351、352。最后，在该基板310的下表面设置多个例如焊球的外接端子370。如图2所示，当该第二晶片340安装之后，利用一可提供第二焊线的打线焊针10进行该第二晶片340的打线作业时，由于该第二晶片340具有横向突出于该间隔片330的悬空部位且该多个第二焊垫343位于该悬空部位，该打线焊针10施加于该多个第二焊垫343的下压焊接力常会造成该第二晶片340的断裂(如图2的晶片断裂处344)，也会有第二焊线352焊不牢于第二焊垫343的问题。特别是，该第二晶片340越薄(如晶片厚度小于10密尔)时，则上述问题将更为严重。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种避免打线造成晶片断裂的多晶片堆叠封装结构，可进行多个薄化晶片的打线操作并且不会有晶片断裂与焊线焊不牢的问题。

本实用新型提供的避免打线造成晶片断裂的多晶片堆叠封装结构，主要包括一基板、一第一晶片、一打线支撑胶垫(wire-bonding supporting adhesive pad)、一第二晶片、多个第一焊线以及多个第二焊线。该第一晶片设置于该基板上，该第一晶片具有一第一打线侧边与一第一无打线侧边，其中该第一打线侧边排列有多个第一焊垫。该打线支撑胶垫设置于该基板上并邻近该第一无打线侧边。该第二晶片设置于该第一晶片与该打线支撑胶垫上而不覆盖该多个第一焊垫并形成有一不重叠于该第一晶片的不重叠部位，该第二晶片具有一第二打线侧边，其中该第二打线侧边排列有多个第二焊垫，该多个第二焊垫位于该打线支撑胶垫上。该多个第一焊线电性连接该多个第一焊垫至该基板。该多个第二焊线电性连接该多个第二焊垫至该基板。其中，该打线支撑胶垫包括不导电粘胶，该打线支撑胶垫粘接至该第二晶片后固化形成的粘着面与该第一晶片等高。该打线支撑胶垫粘接至该第二晶片的该不重叠部位后固化该打线支撑胶垫而形成的粘着面与该第一晶片等高。

优选地，该第二晶片的背面形成有一绝缘层，该打线支撑胶垫粘接至该绝缘层。因此该第二晶片即使被薄化仍有适当的结构强度并且该打线支撑胶垫在该绝缘层的阻隔下，不会溢胶爬到该第二晶片的侧面。

优选地，该第一晶片与该第二晶片为十字交错堆叠。以两个晶片为一组的方式堆叠更多的晶片。

优选地，该打线支撑胶垫配合该第一晶片的形状修正为条形、团块形、正方形、L形与U形中的任一形状。

优选地，该打线支撑胶垫的不导电粘胶为热固性。

优选地，该打线支撑胶垫的不导电粘胶为热塑性。

优选地，该打线支撑胶垫同时粘接至该第一晶片的该第一无打线侧边与该基板，使得该第一晶片、该第二晶片与该基板成为更强结合力的组合，以抵抗当形成该封胶体时的模流冲击。

优选地，该第二晶片作为间隔件，并且该多个第一焊线的弧高不超过该多个第二焊垫至该基板的高度，以在有限的堆叠高度设置更多数量的晶片。