[实用新型]用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路的测试技术，特别属于一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座。

背景技术

垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管（简称VDMOS）的结构如图1所示，其漏端不是在芯片的顶面，而是从芯片的底部引出，所以在进行可靠性测试封装的时候引脚必须从芯片的背面引出。为了对VDMOS器件进行可靠性测试（如高温反向偏压测试HTRB），同时还要避免封装对于产品可靠性的影响，芯片代工厂一般都会将VDMOS器件芯片直接封装在双列直插陶瓷底座上进行测试，常用的陶瓷底座包括双列直插24针（DIP24）。然而，目前市场上的双列直插陶瓷底座不支持芯片背面引出端，其仅适用于引出端位于芯片正面的结构，如图2所示为双列直插陶瓷底座的剖面图，其中，金属底板2位于金属片3围成的区域中，金属底板2的每个侧面与该侧面外侧的金属片3远离金属引脚1的一端在垂直方向上对齐，普通芯片5位于陶瓷底座的金属底板2上，该金属底板2与金属引脚1不连接（如图2中的虚线椭圆），普通芯片5的引出端连接陶瓷底座的金属片3，该金属片3通过金属片的金属连线4与金属引脚1连接。由于VDMOS器件的引出端在底部，因此无法在上述陶瓷底座上封装并进行HTRB可靠性测试。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座，可以使VDMOS器件封装在陶瓷底座上并进行可靠性测试。

为解决上述技术问题，本实用新型的用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座，包括金属引脚、金属底板、金属片，所述金属片通过金属片的金属连线与金属引脚连接，所述金属底板的每个侧面与位于该侧面外的金属片远离金属引脚的一端在横向上留有间隙，所述金属底板的每个侧面均通过若干金属底板的金属连线与金属引脚连接。

其中，所述金属底板的金属连线与金属片的金属连线的走线一致，二者在纵向上留有间隙。

其中，所述金属底板的金属连线与金属片和金属片的金属连线数量相同，位置一致。

本实用新型通过缩小金属底板的面积，在金属底板与金属片及金属片的金属连线形成的纵向错层中增加金属连线实现金属底板与金属底板的连接，从而使VDMOS的漏端可以通过金属底板引出至金属引脚，进而实现VDMOS在双列直插陶瓷底座的封装以及进行HTRB等可靠性测试。此外，金属底板与金属引脚之间的金属连线在不需要的情况下可以通过物理方式断开，从而避免金属底板与金属片在金属引脚上的短路，保证VDMOS在陶瓷底座上的漏端引出端的独立性。

附图说明

图1是VDMOS器件的结构示意图；

图2是现有的双列直插陶瓷底座的纵向剖面图；

图3是本实用新型的双列直插陶瓷底座的纵向剖面图。

其中附图标记说明如下：

1金属引脚    2金属底板

3金属片      4金属片的金属连线

5普通芯片    6金属底板的金属连线

7断开处

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型提供的用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座，包括金属引脚1、金属底板2、金属片3，所述金属片3通过金属片的金属连线4与金属引脚1连接，以DIP24陶瓷底座为例，陶瓷底座中包括24个金属引脚1，金属底板2的每一侧具有6个金属片3。如图3所示，金属底板2的每个侧面与位于该侧面外的金属片3远离金属引脚1的一端在横向上留有间隙，所述金属底板2的每个侧面均通过6条金属底板的金属连线6与金属引脚1连接。所述金属底板的金属连线6与金属片的位置一致，其在陶瓷材料中的走线布局与金属片的金属连线4的布局一致，但二者在纵向上留有间隙形成错层。

此外，金属底板2与金属引脚1之间的金属连线6在不需要的情况可以在断开处7通过物理方式断开，从而保证VDMOS在陶瓷底座上的漏端引出端的独立性。

本实用新型通过缩小金属底板的面积，在金属底板与金属片及金属片的金属连线形成的纵向错层中增加金属连线实现金属底板与金属底板的连接，从而使VDMOS的漏端可以通过金属底板引出至金属引脚，进而实现VDMOS在双列直插陶瓷底座的封装以及进行HTRB等可靠性测试。

以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员可对陶瓷底座的结构及布局等做出许多变形和改进，这些也应视为本实用新型的保护范围。