[实用新型]一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪有效
| 申请号： | 201220569879.8 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN202975342U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 靳根;徐园;王希涛;陈法国;刘倍 | 申请（专利权）人： | 中国辐射防护研究院 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 030006 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pin 半导体 区域 辐射 监测 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，包括探测装置（1），以及与探测装置（1）相连接的现场处理和显示单元（2），其特征在于：所述的探测装置包括设置在壳体内部的硅PIN二极管探测器，所述的硅PIN二极管探测器包括一个用于量程高端测量的低敏二极管（8），以及多个用于量程低端测量的高敏二极管（9），多个高敏二极管（9）以低敏二极管（8）为中心对称设置在电路板（10）上。
2.如权利要求1所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，其特征在于：所述的探测装置的壳体为双层组合结构，外层为铝壳（12），内层为铜壳（13）。
3.如权利要求1或2所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，其特征在于：所述的现场处理和显示单元（2）内分割为多个腔体，隔离放置电路模块。
4.如权利要求3所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，其特征在于：所述的现场处理和显示单元（2）的电路模块（3）与探测装置（1）之间设有电磁隔离腔体（4）。
5.如权利要求4所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，其特征在于：所述的现场处理和显示单元（2）设有电源模块（5）和接口模块（6）。
6.如权利要求5所述的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，其特征在于：所述的接口模块包括4~20mA输入输出接口、隔离485接口、隔离继电器接口。
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