[实用新型]杂料硅铸多晶硅锭专用炉有效

专利信息
申请号: 201220566037.7 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN202989353U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 吕文 申请(专利权)人: 宿迁宇龙光电科技有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 谢观素
地址: 223700 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 杂料硅铸 多晶 专用
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及光电领域,具体涉及一种杂料硅铸多晶硅锭专用炉。

背景技术

光电领域中,硅是非常重要和常用的半导体原料,是太阳能电池最理想的原材料。硅原料一般要经过清洗、铸锭、切块、粘胶、切片、脱胶、清洗等工序后,才能用于太阳能电池。由于铸锭硅炉生产的多晶硅锭质量稳定,铸锭工艺比较成熟,现已经被广泛应用。多晶硅锭的质量好坏以及单炉产量直接影响着企业的而生产效率,但目前行业上多晶硅锭的利用率比较低,单炉产量也比较低,同时能耗较高,铸锭成本较高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于:克服现有技术的不足,提供一种利用杂料硅铸多晶硅锭专用炉,使铸定生产成本降低、铸锭产量提高。

本实用新型所采取的技术方案是:

杂料硅铸多晶硅锭专用炉,包括炉体,所述炉体设有进气口和出气口,炉体内设有石墨台,所述石墨台上放置有坩埚,还包括罩盖于坩埚的加热器,罩盖于加热器的隔热笼,所述隔热笼内顶部与石墨台上表面之间的距离略小于坩埚高度的2倍。

本实用新型进一步改进方案是,所述坩埚的内表面涂有氮化硅涂料。

本实用新型更进一步改进方案是,所述坩埚边口向下3~8厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料,其余内表面涂有多层氮化硅涂料。

本实用新型的有益效果在于:

用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭时,先将盛有硅原料的坩埚放置在石墨台上,闭合炉体,将炉体内抽为真空,加入保护气,加热熔化硅原料,凝固长晶,最后进行冷却。从上述工作过程可知,用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭,不仅能够降低生产成本,单炉产量提高了百分之三十五,而且大大提高了多晶硅锭的质量,使多晶硅的利用率达到百分之七十。

附图说明

图1为本实用新型结构主视剖视示意图。

具体实施方式

如图1所示,本实用新型包括炉体1,所述炉体1设有进气口4和出气口5,炉体1内设有石墨台3,所述石墨台3上放置有坩埚7(本实施案例中,坩埚7选用的型号为540型),还包括罩盖于坩埚7的加热器8,罩盖于加热器8的隔热笼2,其特征在于:所述隔热笼2内顶部与石墨台3上表面之间的距离略小于坩埚7高度的2倍;所述坩埚7的内表面涂有氮化硅涂料9;所述坩埚7边口向下3~8厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料9(本实施案例中,坩埚7边口向下5厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料),其余内表面涂有多层氮化硅涂料9。

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