[实用新型]杂料硅铸多晶硅锭专用炉有效
申请号: | 201220566037.7 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN202989353U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 吕文 | 申请(专利权)人: | 宿迁宇龙光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06 |
代理公司: | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人: | 谢观素 |
地址: | 223700 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 杂料硅铸 多晶 专用 | ||
技术领域
本实用新型涉及光电领域,具体涉及一种杂料硅铸多晶硅锭专用炉。
背景技术
光电领域中,硅是非常重要和常用的半导体原料,是太阳能电池最理想的原材料。硅原料一般要经过清洗、铸锭、切块、粘胶、切片、脱胶、清洗等工序后,才能用于太阳能电池。由于铸锭硅炉生产的多晶硅锭质量稳定,铸锭工艺比较成熟,现已经被广泛应用。多晶硅锭的质量好坏以及单炉产量直接影响着企业的而生产效率,但目前行业上多晶硅锭的利用率比较低,单炉产量也比较低,同时能耗较高,铸锭成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:克服现有技术的不足,提供一种利用杂料硅铸多晶硅锭专用炉,使铸定生产成本降低、铸锭产量提高。
本实用新型所采取的技术方案是:
杂料硅铸多晶硅锭专用炉,包括炉体,所述炉体设有进气口和出气口,炉体内设有石墨台,所述石墨台上放置有坩埚,还包括罩盖于坩埚的加热器,罩盖于加热器的隔热笼,所述隔热笼内顶部与石墨台上表面之间的距离略小于坩埚高度的2倍。
本实用新型进一步改进方案是,所述坩埚的内表面涂有氮化硅涂料。
本实用新型更进一步改进方案是,所述坩埚边口向下3~8厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料,其余内表面涂有多层氮化硅涂料。
本实用新型的有益效果在于:
用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭时,先将盛有硅原料的坩埚放置在石墨台上,闭合炉体,将炉体内抽为真空,加入保护气,加热熔化硅原料,凝固长晶,最后进行冷却。从上述工作过程可知,用本实用新型进行杂料硅铸多晶硅锭,不仅能够降低生产成本,单炉产量提高了百分之三十五,而且大大提高了多晶硅锭的质量,使多晶硅的利用率达到百分之七十。
附图说明
图1为本实用新型结构主视剖视示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型包括炉体1,所述炉体1设有进气口4和出气口5,炉体1内设有石墨台3,所述石墨台3上放置有坩埚7(本实施案例中,坩埚7选用的型号为540型),还包括罩盖于坩埚7的加热器8,罩盖于加热器8的隔热笼2,其特征在于:所述隔热笼2内顶部与石墨台3上表面之间的距离略小于坩埚7高度的2倍;所述坩埚7的内表面涂有氮化硅涂料9;所述坩埚7边口向下3~8厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料9(本实施案例中,坩埚7边口向下5厘米范围内的内表面涂有单层氮化硅涂料),其余内表面涂有多层氮化硅涂料9。
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