[实用新型]一种BOOST升压电路有效
| 申请号： | 201220544043.2 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN203278649U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李建英;杨耀昌;赖声伟 | 申请（专利权）人： | 东莞市艾炜特电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 邓猛烈 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 boost 升压 电路 | ||
1.一种BOOST升压电路，包括电感L1、开关管Q1、二极管D1和电容C1，还包括脉宽调制芯片，电感L1的一端与电压输入端连接，电感L1的另一端与开关管Q1的漏极、二极管D1的正极连接，电容C1的一端与电压输出端连接，电容C1的另一端与开关管Q1的源极、电源地连接，脉宽调制芯片的驱动输出端连接开关管Q1的栅极,其特征在于：还包括二极管组，二极管组的正极连接二极管D1的负极，二极管组的负极连接脉宽调制芯片的反向误差放大器端和电压输出端。
2.根据权利要求1所述的一种BOOST升压电路，其特征在于：所述二极管组包含一个二极管。
3.根据权利要求1所述的一种BOOST升压电路，其特征在于：所述脉宽调制芯片为L6561 IC或L6562 IC。
4.根据权利要求1所述的一种BOOST升压电路，其特征在于：所述开关管Q1为10N60 MOS管或10N80 MOS管。
5.根据权利要求1所述的一种BOOST升压电路，其特征在于：所述二极管D1为IN5406 二极管。
6.根据权利要求1所述的一种BOOST升压电路，其特征在于：所述电容C1为400V/100uF电容。
7.根据权利要求1所述的一种BOOST升压电路，其特征在于：还包括电阻R1和电阻R2，电阻R1的一端连接二极管组的负极，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和脉宽调制芯片的反向误差放大器端，电阻R2的另一端连接电源地。
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