[实用新型]研磨垫整理器及研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造的研磨领域，尤其涉及一种研磨垫整理器及研磨装置。

背景技术

CMP工艺是指化学机械研磨工艺(Chemical Mechanical Polishing)，或称为化学机械平坦化工艺(Chemical Mechanical Planarization)。化学机械研磨工艺是一个复杂的工艺过程，它是将晶圆表面与研磨垫的研磨表面相接触，然后，通过晶圆表面与研磨表面之间的相对运动将晶圆表面平坦化，通常采用化学机械研磨设备，也称为研磨装置来进行化学机械研磨工艺。

现有的研磨装置通常包括研磨头、研磨垫、研磨液供应管和研磨垫整理器。进行研磨工艺时，将要研磨的晶圆附着在研磨头上，该晶圆的待研磨面向下并接触相对旋转的研磨垫，研磨头提供的下压力将该晶圆紧压到研磨垫上，所述研磨垫粘贴于研磨平台上，当该研磨平台在马达的带动下旋转时，研磨头跟随研磨平台转动；同时，研磨液通过研磨液供应管输送到研磨垫上，并通过离心力均匀地分布在研磨垫上。研磨工艺所使用的研磨液一般包含有化学腐蚀剂和研磨颗粒，通过化学腐蚀剂和所述待研磨表面的化学反应生成较软的容易被去除的材料，然后通过机械摩擦将这些较软的物质从被研磨晶圆的表面去掉，以达到全局平坦化的效果。

在研磨的同时，需要采用研磨垫整理器对研磨垫进行整理，一方面，研磨垫整理器可以使得研磨垫粗糙，确保对晶圆的研磨效果；另一方面，研磨垫整理器可以使得研磨垫上的研磨液更加均匀，以进一步提高晶圆的研磨效果。

请重点参阅图1，现有的研磨装置包括研磨垫整理器1’、研磨垫2’、研磨平台（未图示）、研磨头3’以及磨液供应管4’，所述研磨垫2’铺设于所述研磨平台上，所述研磨头3’和所述研磨液供应管4’分别设置于所述研磨垫2’上，所述研磨垫整理器1’也设置于所述研磨垫2’上方。

通常，现有的研磨垫整理器包括整理盘和驱动手臂，所述整理盘做旋转运动和来回摆动运动。请参阅图2，现有的整理盘10’包括基座101’和研磨盘102’，所述研磨盘102’设置于所述基座101’内。

由图1和图2可见，由于所述研磨液供应管4’和所述研磨垫整理器1’分开设置于所述研磨垫2’上，因此，研磨盘102’不能及时接触到研磨液，需要较长的时间才能将研磨液在研磨垫2’上铺平，即，需要较长的时间研磨垫整理器1’才可以使得研磨垫2’上的研磨液均匀，从而影响研磨效率和研磨效果。

因此，如何提供一种可以快速铺平研磨液以提高研磨效果的研磨垫整理器及研磨装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨垫整理器及研磨装置，可以快速将研磨液均匀铺平到研磨垫上，提高研磨垫整理效率，改善研磨效果。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种研磨垫整理器，包括整理盘和驱动臂，所述驱动臂的一端与所述整理盘连接，所述研磨垫整理器还包括研磨液供应管和研磨液喷头，所述研磨液供应管和所述喷头连通，所述研磨液喷头安装于所述整理盘上。

优选的，在上述的研磨垫整理器中，所述整理盘包括挡圈架、基座以及研磨盘，所述挡圈架、基座以及研磨盘由上至下依次安装于所述驱动臂的一端下方，所述研磨液供应管沿所述驱动臂的纵向设置于所述驱动臂内，所述研磨液喷头呈锥形，所述研磨液喷头的锥顶伸入所述驱动臂内并设有与所述研磨液供应管连通的研磨液进口，所述研磨液喷头的锥底设置带有若干喷口的锥底板，所述基座的底部中间开设用于安装锥底板的基座通孔，所述研磨盘的中部开设与锥底板相对应的研磨盘通孔。

优选的，在上述的研磨垫整理器中，所述研磨盘的下表面设有圆形通道和若干由内向外发散的流道，所述圆形通道同心设置于所述研磨盘通孔的外侧，所述流道的内端连接于所述圆形通道，所述流道的外端连接于所述圆磨盘的外边缘，相邻的流道之间的区域均匀设有若干研磨颗粒。

优选的，在上述的研磨垫整理器中，所述若干由内向外发散的流道围绕所述圆形通道均匀设置。

优选的，在上述的研磨垫整理器中，所述流道为抛物线型。

优选的，在上述的研磨垫整理器中，所述流道的宽度由内向外依次变宽。

优选的，在上述的研磨垫整理器中，所述若干喷口均匀设置于所述锥底板上。

优选的，在上述的研磨垫整理器中，所述研磨盘的直径范围是6~9厘米。