[实用新型]一种背照式影像传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种影像传感器，特别涉及一种背照式影像传感器。

背景技术

常见的各种数字影像检索装置，不论是数字相机、数字摄影机或者是可照像手机等，决定影像品质的关键皆在于各影像检索装置中所具有的影像传感器。影像传感器又称感光器件，是数码产品的核心，也是最关键的技术。目前，主要的影像传感器可分为电荷耦合装置（Charge Coupled Device）影像传感器，以及互补型金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）影像传感器二种。

在传统的影像传感器中，在光线的传输中，感光二极管位于电路晶体管后方，从而进光量会因电路晶体管的遮挡受到影响。为此，又提出了背照式影像传感器，所谓背照式影像传感器就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。

背照式影像传感器可通过降低入射光遇到金属连线和其他介质损失的量来提高器件性能，但是像素的灵敏度及色彩串扰却是它的一个不利因素，因此串扰是背照式传感器的一个相对比较大的问题。

在现有的背照式影像传感器的工艺流程中，在器件晶圆背面减薄至需要的厚度后，使用蚀刻的方法去掉硅基板和隔离区的介电材料（一般为二氧化硅），形成沟槽，然后再通过等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）淀积一层介电层（二氧化硅），这种结构使得入射光在界面产生较大的折射率的差异，使得入射光更容易反射至其相对应的感光区域，增加光的敏感性和减少色彩串扰。但是其工艺在具有以上优点的同时，也存在一些不足之处，一是其工艺相对复杂，需要对硅基板和隔离区（STI，浅槽隔离）进行蚀刻；二是蚀刻工艺易形成硅基板的损伤，造成硅的晶体缺陷，增加了漏电流产生的概率，影响背照式影响传感器性能。

实用新型内容

本实用新型提供了一种背照式影像传感器，以解决的技术问题在于，针对传统的背照式影像传感器工艺复杂，需要对硅基板和隔离区进行刻蚀且刻蚀工艺易形成硅基板的损伤，造成硅的晶体的缺陷，增加了漏电流产生的概率。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案在于：

硅基板，所述硅基板中形成有感光二极管区域，所述感光二极管区域靠近所述硅基板的第一面；

介质层，所述介质层覆盖所述硅基板的第二面，所述介质层中形成有第一隔离区。

可选的，在所述的背照式影像传感器中，所述第一隔离区包括空洞。

可选的，在所述的背照式影像传感器中，所述空洞为填充气体或者真空。

可选的，在所述的背照式影像传感器中，所述第一隔离区是使用非保形沉积介电膜加以密封的。

可选的，在所述的背照式影像传感器中，所述硅基板中形成有第二隔离区。

可选的，在所述的背照式影像传感器中，所述第二隔离区包括二氧化硅层。

可选的，在所述的背照式影像传感器中，还包括：滤光片和微透镜，所述滤光片覆盖所述介质层的自由面，所述微透镜覆盖所述滤光片的自由面。

可选的，在所述的背照式影像传感器中，还包括：所述硅基板的第一面上有三层布线层，所述布线层包括介质材料和金属导线。

实施本实用新型的背照式影像传感器，具有以下有益效果：通过介质层中形成有第一隔离区，在保留减少串扰现象优点的同时，避免对硅基板的损伤，降低了由于硅基板损伤所带来的背照式影像传感器的性能退化，且简化了制作工艺。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型实施例的背照式影像传感器的结构示意图；

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的背照式影像传感器作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图1，其为本实用新型实施例的背照式影像传感器的结构示意图。如图1所示，一种背照式影像传感器1，包括：硅基板12，所述硅基板12中形成有感光二极管区域11，所述感光二极管区11域靠近所述硅基板12的第一面10（通常的，所述第一面10也称为硅基板12的正面）；介质层14和金属连线，所述介质层14和金属连线覆盖所述硅基板12的第二面19（通常的，所述第二面也称为硅基板12的背面），所述介质层14中形成有第一隔离区15。

在本实施例中，上述背照式影像传感器1具体通过如下工艺形成：