[实用新型]用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯有效
| 申请号： | 201220498769.7 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202871799U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 伊藤明 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电压 操作 具有 隔离 晶体管 半导体 管芯 | ||
1.一种晶体管，包括：
具有第一导电类型的深阱注入物，设置于具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的衬底之上；
所述第一导电类型的源侧阱和漏侧阱，所述源侧阱和所述漏侧阱电耦合至所述深阱注入物；
所述深阱注入物、所述源侧阱和所述漏侧阱将所述晶体管的本体与所述衬底电绝缘。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述晶体管为LDMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述漏侧阱为所述LDMOS晶体管的漏极外延区。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述漏侧阱包括漏侧隔离体。
5.一种晶体管，包括：
设置于P型衬底中的深N阱；
电耦合至所述深N阱的源侧N阱和漏侧N阱；
设置于所述漏侧N阱中的漏侧隔离体，所述漏侧隔离体与所述晶体管的栅极基本上齐平；
所述深N阱、所述源侧N阱和所述漏侧N阱将所述晶体管的本体与所述P型衬底电绝缘。
6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述晶体管为LDMOS晶体管。
7.根据权利要求5所述的晶体管，还包括源侧隔离体，设置于所述晶体管的N型源极和所述源侧N阱之间。
8.根据权利要求7所述的晶体管，还包括高度掺杂P型本体接触件，设置于所述源侧隔离体和所述源侧N阱之间。
9.一种半导体管芯，包括：
高电压晶体管和低电压器件；
所述高电压晶体管包括：
具有第一导电类型的深阱注入物，设置于具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的所述半导体管芯衬底之上；
所述第一导电类型的源侧阱和漏侧阱，所述源侧阱和所述漏侧阱电耦合至所述深阱注入物；
所述深阱注入物、所述源侧阱和所述漏侧阱将所述高电压晶体管的本体与所述半导体管芯的所述衬底电绝缘。
10.根据权利要求9所述的半导体管芯，其中，所述高电压晶体管为LDMOS晶体管。
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