[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201220497900.8 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN202948930U | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;吴振兴;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括本体层；
位于所述本体层表面内的主结和场限环，所述主结的深度大于所述场限环的深度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述主结和场限环是在不同的光刻步骤中形成的。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述主结的深度比所述场限环的深度大2~10μm。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述主结和场限环的掺杂类型相同。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述主结的掺杂浓度大于、小于或等于场限环的掺杂浓度。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述场限环掺杂类型与本体层的掺杂类型相反。
7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括，位于所述半导体器件边缘的场截止环，所述场限环位于所述半导体器件的主结和所述场截止环之间。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
覆盖在所述场限环表面和主结表面上的绝缘介质层；
覆盖在所述场限环表面和绝缘介质层表面上的场板，所述场板与所述场限环电性相连；
覆盖在所述主结表面上的电极，所述电极与所述主结电性相连。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述场板的材料为金属或多晶硅。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括，位于所述本体层背面的集电极。
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