[实用新型]用于时间测量的电荷流电路、电荷留置电路以及集成电路芯片

权利要求书

1.一种用于时间测量的电荷流电路，其特征在于，包括电串联的多个基本电容性元件，每个基本电容性元件经过它的电介质空间泄漏。

2.根据权利要求1所述的电荷流电路，其特征在于，每个基本电容性元件包括第一电极、电介质层和第二电极的堆叠，所述电介质层包括能够通过隧道效应使电荷流动的更小厚度的至少一个区域。

3.根据权利要求2所述的电荷流电路，其特征在于，所述第一电极形成于集成电路芯片的相同第一传导或者半导体级中，并且其中所述第二电极形成于所述芯片的相同第二传导级中。

4.根据权利要求2所述的电荷流电路，其特征在于，所述电介质层包括氧化物-氮化物-氧化物堆叠，所述更小厚度的至少一个区域由硅氧化物制成。

5.根据权利要求2所述的电荷流电路，其特征在于，所述第一电极和第二电极由多晶硅制成。

6.根据权利要求2所述的电荷流电路，其特征在于，所述第一电极是半导体衬底的区域，并且所述第二电极由多晶硅制成。

7.根据权利要求1所述的电荷流电路，其特征在于，每个基本电容性元件具有范围在1*10^-15与5*10^-15法拉之间的电容。

8.一种用于时间测量的电荷留置电路，其特征在于，包括连接到根据权利要求1所述的电荷流电路的电容性电荷存储元件。

9.根据权利要求8所述的电荷留置电路，其特征在于，所述电容性存储元件具有范围在10*10^-12与100*10^-12法拉之间的电容。

10.根据权利要求8所述的电荷留置电路，其特征在于，还包括连接到所述存储元件和所述流电路所共有的浮动节点的电容性初始化元件。

11.根据权利要求10所述的电荷留置电路，其特征在于，所述电容性初始化元件具有范围在10*10^-15与100*10^-15法拉之间的电容。

12.根据权利要求8所述的电荷留置电路，其特征在于，还包括用于测量所述存储元件的残留电荷的器件，所述器件包括连接到所述电荷流电路的两个相继电容性元件所共有的每个节点的比较器，所述比较器能够将所述节点的电压与阈值进行比较。

13.一种形成于半导体衬底内部和顶部上的集成电路芯片，其特征在于，包括：非易失性存储器单元、包括金属氧化物半导体晶体管的逻辑块、以及根据权利要求8所述的用于时间测量的电荷留置电路。