[实用新型]一种磁性材料屏蔽性能自评估装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及材料磁性测量技术领域，特别涉及一种磁性材料屏蔽性能自评估装置。

背景技术

低频磁场产生的干扰是影响其他电子电气设备正常工作的一个重要因素，会使人体中枢神经系统紊乱、心血管系统失调，增加白血病、脑瘤的发病率。采用磁屏蔽材料进行屏蔽是一种减小低频磁场干扰并进行安全防护的重要措施。

磁屏蔽材料包括纯铁、硅钢、铁镍合金和铁钴合金等，磁屏蔽是国内近年来蓬勃发展的新兴产业。越来越多的企业需要测试材料在低频交变磁场下的屏蔽性能，但由于缺乏有效可比较的手段而无法测试。

目前国内磁屏蔽测试装置主要停留在实验室阶段，均匀区范围、磁场大小、频率范围都比较局限，各套装置由于开发初衷不一致而导致测试结果不具可比性。工业上往往只通过测量屏蔽后剩磁的大小来评估材料的作用如何，对材料本身磁屏蔽性能缺乏行之有效的测量方法和装置。

磁屏蔽需要高导磁率材料，但磁导率并不是固定不变的，它会随外加磁场、频率等而变化。随着频率的增大，磁导率会急剧的下降，磁化饱和场大小不一，各类材料的上述磁场频率特性各异。当外加磁场强度较低时，磁导率随外加磁场的增加而升高，当外加磁场强度超过一定值时，磁导率急剧下降，这时称材料发生了磁化饱和。材料一旦发生饱和，就失去了磁屏蔽作用。磁屏蔽材料的磁化饱和值不一致导致对各类磁屏蔽材料在同一环境下测试衰减比并做相应性能评估具有较大难度，所以判定磁屏蔽材料是否达到磁化饱和是非常重要的。

实用新型内容

本实用新型提供了一种磁性材料屏蔽性能自评估装置，解决了无法对被测试的磁屏蔽材料是否达到磁化饱和进行判断的问题。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案在于：

一种磁性材料屏蔽性能自评估装置，包括：

磁化电源；

电阻，所述电阻与磁化电源连接；

电压表，所述电压表与所述电阻并联；

亥姆霍兹电流线圈，所述亥姆霍兹电流线圈与所述电阻连接；

支架，所述支架上放置有屏蔽材料；

第一探测线圈和第二探测线圈，所述第一探测线圈和第二探测线圈均与支架连接；

第一数据采集器和第二数据采集器，其中，所述第一数据采集器和第一探测线圈连接，所述第二数据采集器和第二探测线圈连接；

电脑，所述电脑与所述第一数据采集器和第二数据采集器连接；及

退磁电源，所述退磁电源通过导线与屏蔽材料连接。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述磁化电源、所述电阻和所述亥姆霍兹电流线圈形成有第二磁场。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述第二磁场经过屏蔽材料形成有第一磁场。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述第一探测线圈探测第一磁场；所述第二探测线圈探测第二磁场；

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述磁化电源的电流波形的失真小于等于2%。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述亥姆霍兹电流线圈为圆形或方形，所述亥姆霍兹电流线圈直径是屏蔽材料的直径的三倍以上；所述亥姆霍兹电流线圈中的导线自身成对交叉。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述支架具有升降和旋转0度至360度的能力。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述第一探测线圈和第二探测线圈的匝面积均为2×10⁴cm²匝至10×10⁴cm²匝。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述探测线圈、亥姆霍兹电流线圈和屏蔽材料的中心共轴。

在所述的磁性材料屏蔽性能自评估装置中，所述探测线圈、亥姆霍兹电流线圈和支架均为无磁材料。

实施本实用新型的磁性材料屏蔽性能自评估装置，具有以下有益效果：基于电磁感应原理，通过第一探测线圈和第二探测线圈实时同步采集屏蔽材料内的第一磁场和屏蔽材料外的第二磁场，通过电脑对比判断屏蔽材料是否已经达到磁化饱和，随后对屏蔽材料进行衰减比测试，得出的结果更可靠。所有测试操作通过电脑自动采集并自动处理，操作便捷，控制方便。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型实施例的磁性材料屏蔽性能自评估装置的结构示意图；

具体实施方式