[实用新型]一种掩膜板有效
申请号: | 201220457411.X | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN202735675U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 彭川;隆清德 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示装置制造领域,尤其涉及一种掩膜板。
背景技术
分辨率作为衡量画面品质的最重要指标之一,不论是对于TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)或是OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二级管)显示器而言都具有重要的意义。越来越多的人开始尝试着在提高分辨率的同时不牺牲显示装置其他的显示性能(如开口率、对比度等),这就要求产品图形的设计必然向窄线宽方向发展。
在采用构图工艺形成图形的过程中,光线通过照射光刻胶上方的掩膜板,对掩膜板开口处的光刻胶进行曝光即可以得到与该掩膜板相应的图形,因此掩膜板开口的宽度将直接影响图形的线宽。
目前,通常采用平行平板掩膜板进行曝光,这样一种平行平板掩膜板开口的宽度已能够达到显示装置关键尺寸的要求,但在使用掩膜板实际进行曝光显影的过程中,由于紫外光在平行平板掩膜板图形开口的边缘将发生衍射和表面间二次反射等现象,光刻胶实际受到曝光的范围要比掩膜板开口宽度大得多。如图1a所示为现有技术中进行曝光显影的示意图,其中基板10的上表面具有光刻胶11,掩膜板12包括掩膜板基板121以及位于掩膜板基板121下表面的光栅结构122,该光栅结构122形成图形开口,紫外光照射方向如图中箭头所示。当紫外光照射掩膜板12时,紫外光在通过掩膜板12的图形开口区域时将发生衍射,光路方向如图所示,紫外光实际照射区域形成光刻胶图形111。可以清楚地发现,光刻胶图形111的宽度与掩膜板12的图形开口区域宽度之间存在很大的偏差。需要说明的是,在如图1所示的曝光示意图中,紫外光为理想的准直光,但在实际应用中,紫外光的入射方向通常与竖直方向存在夹角θ,如图1b所示,在这样一种紫外光照射下的光刻胶图形与掩膜板的图形开口区域宽度将产生更大的偏差。这种尺寸的偏差在现有技术条件下尚难以避免,这种偏差的存在也成为了窄线宽产品制作的瓶颈。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种掩膜板,可以改善光线的准直角度,抑制或消除光线通过掩膜板图形开口后的衍射曝光范围。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型实施例提供一种一种掩膜板,包括:光栅层,所述光栅层具有至少一个图形开口区域,还包括:
覆盖所述图形开口区域的柱状透镜;
所述柱状透镜的一侧为圆拱,另一侧面向所述光栅层,所述圆拱的圆心指向所述光栅层,且其跨度大于等于所述图形开口区域的宽度。
所述柱状透镜包括:
设置于所述光栅层的入光侧表面的柱状透镜;和/或,
设置于所述光栅层的出光侧表面的柱状透镜。
所述掩膜板还包括:
设置于所述光栅层的入光侧表面的透明基板,所述透明基板的厚度小于所述柱状透镜的焦距;
相应的,所述柱状透镜设置于所述透明基板的入光侧表面。
所述透明基板与所述柱状透镜为一体结构。
所述图形开口区域包括关键区域和非关键区域;
所述柱状透镜与所述关键区域一一对应。
所述柱状透镜的中心线与所述图形开口区域的中心线均在与所述光栅层垂直的面内。
本实用新型实施例提供的掩膜板,通过在光栅层上设置覆盖图形开口区域的柱状透镜,该柱状透镜的一侧为圆拱,另一侧面向该光栅层,该圆拱的圆心指向光栅层,且其跨度大于等于该图形开口区域的宽度。采用这样一种柱状透镜结构可以使得入射的曝光光线由现有的垂直入射变为斜入射,入射光将向掩膜板图形开口的中心位置处汇聚。这样一来,入射光的各级衍射主极大分布将移向图形开口的中心,从而抑制或消除了光线通过掩膜板图形开口后的衍射曝光的范围,减小或消除了由于衍射曝光造成的光刻胶图形的尺寸偏差,大大提高了窄线宽产品的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为现有技术中一种掩膜板进行曝光显影的示意图;
图1b为现有技术中另一掩膜板进行曝光显影的示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种掩膜板的结构示意图;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备