[实用新型]阵列基板及显示器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示器件。 

背景技术

近些年来，薄膜晶体管液晶显示器凭借其低功耗，无辐射等优点逐渐成为目前显示产品市场的主流趋势。 

图1为一种传统TFT-LCD中像素的平面结构示意图，图1a和图1b分别为图1中两个局部区域的放大图，图2对应于图1中的A-A′位置的剖视图，在图示的像素结构中，公共电极1为板状电极，像素电极2为条状电极，像素电极2位于公共电极1上方，像素电极2与公共电极1之间形成边缘电场E_f，并且公共电极1与像素电极2之间有很大的交叠面积，即公共电极1与像素电极2分别在基板上的投影的重合面积很大，由此在公共电极1和像素电极2之间形成的存储电容较大，基于该像素结构所形成的显示器件中易出现与像素的充放电相关的不良现象，对于大尺寸高频率的显示面板制造而言，该问题将会愈加严重。 

实用新型内容

（一）要解决的技术问题 

本实用新型要解决的首要技术问题是如何增强液晶显示器件中的液晶光效，以实现其高透过率； 

本实用新型进一步要解决的技术问题是如何避免像素电极与公共电极间存储电容过大所出现的充放电不良的现象。 

（二）技术方案 

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种阵列基板，包括形 成在基板上的公共电极和像素电极；所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开，所述第二公共电极与所述像素电极同层设置，所述像素电极为条状电极，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。 

其中，所述第一公共电极为板状电极。 

其中，所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影内。 

其中，所述第一公共电极为条状电极。 

其中，所述第一公共电极的宽度小于所述像素电极的宽度；所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影内。 

其中，所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第一投影宽度方向的两端区域分别与两个相邻第二投影的部分区域重合。 

其中，所述第一公共电极的宽度大于相邻的两个像素电极之间开口的宽度。 

其中，所述第一投影与第二投影重合区域的宽度为6μm-10μm。 

其中，每条所述像素电极和第二公共电极分别包括一体形成的两部分电极，该两部分电极之间具有一定夹角。 

本实用新型还公开了一种显示器件，该显示器件包括上述任一项所述的阵列基板。

（三）有益效果 

上述技术方案所提供的阵列基板及显示器件，通过设置条状的像素电极，并在像素电极下方设置第一公共电极以形成边缘电场，与像 素电极同层设置条状第二公共电极且使像素电极与第二公共电极间隔布置，以形成面内电场，从而达到增强液晶光效、实现高透过率的技术效果，高透过率的阵列基板还能大大节省显示器件中背光源的能量损耗，同时条状分布的像素电极结构也能够避免传统TFT-LCD中像素中心区域透过率较低的现象；此外，由于设置第二公共电极，像素电极的面积相对减小，从而与第一公共电极的交叠面积会在一定程度上减少，能够解决像素结构中由于存储电容过大引起的充放电不良等技术问题。 

附图说明

图1示出了传统TFT-LCD像素的平面结构示意图； 

图1a示出了图1中M区域的局部放大图； 

图1b示出了图1中N区域的局部放大图； 

图2示出了传统TFT-LCD中电极与电场的结构示意图； 

图3示出了本实用新型实施例1中TFT-LCD像素的平面结构示意图； 

图4示出了本实用新型实施例1中与图3中A-A′位置对应的剖视结构及电场状态示意图； 

图5示出了基于本实用新型实施例1的显示器件对应于图3中B-B′位置的剖视图； 

图6示出了本实用新型实施例2中与图3中A-A′位置对应的剖视结构及电场状态示意图； 

图7示出了基于本实用新型实施例2的显示器件对应于图3中B-B′位置的剖视图；