[实用新型]阵列基板及显示器件有效
申请号: | 201220451519.8 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN202735641U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 刘莎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 器件 | ||
1.一种阵列基板,包括形成在基板上的公共电极和像素电极;其特征在于,所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开,所述第二公共电极与所述像素电极同层设置,所述像素电极为条状电极,所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极为板状电极。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影完全落入所述第二投影内。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极为条状电极。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极的宽度小于所述像素电极的宽度;所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第二投影完全落入所述第一投影内。
6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影宽度方向的两端区域分别与两个相邻第二投影的部分区域重合。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极的宽度大于相邻的两个像素电极之间开口的宽度。
8.如权利要求3、5或6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一投影与第二投影重合区域的宽度为6μm-10μm。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每条所述像素电极和第二公共电极分别包括一体形成的两部分电极,该两部分电极之间具有一定夹角。
10.一种显示器件,其特征在于,包括上述权利要求中任一项所述的阵列基板。
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