[实用新型]一种用于线圈单元间的去耦合电感电路及磁共振系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种去耦合电感电路，尤其涉及一种用于线圈单元间的去耦合电感电路及使用该电路的磁共振系统。 

背景技术

在磁共振成像技术中，由于磁场的有旋特性，对于两个非正交线圈（电流环路）而言，必然会存在磁耦合，而线圈单元之间的耦合会造成信噪比下降或不能反映真实的影像，因此在多线圈单元中必须采取去耦合措施。目前线圈单元之间的去耦大致有以下几种方法：电容去耦，电感去耦，Overlap去耦和前置放大器去耦。相邻的线圈单元之间一般采用Overlap去耦，次相邻的线圈单元之间一般用电容、电感去耦或前置放大器去耦。 

关于电感去耦，当电感线圈重叠分布时，受空间与尺寸的影响，当两个电感线圈之间的距离比较近或者电感线圈比较宽的时候，产生的寄生电容效应就会比较明显，比如在柔性电路板中，去耦电感线圈紧贴于软板或者基材的两侧，由于软板的夹层很薄，一般小于0.08mm，同时，去耦合电感是线圈单元的一部分，如果电感线圈很窄，损耗会增加，影响信噪比，因此制作电感的铜皮要有一定宽度，如上所述的情况，会导致寄生电容效应很强，特别是上下层电感用的铜较宽时会更明显，这样就达不到单元间去耦的目的。 

在磁共振系统中，现有去耦合电感电路如图1所示，包括第一线圈单元1、第二线圈单元2以及两个线圈单元间的去耦部分。去耦部分由两个电感线圈组成，分别与第一线圈单元1和第二线圈单元2相连接。这两个电感线圈通常会有一定的宽度1mm~2mm，两个电感线圈分别位于柔性电路板5的两面，其距离为a通常为0.08mm。电感的半径为r，其数值与第一线圈单元1、和第二线圈单元2的耦合度有关。 

下面以r=5mm,电感宽为1mm为例，计算产生的寄生电容值： 

由C=ε*S/d，可得， 

ε=3.5*ε₀=3.5*8.854187818*10^-12f/m=31*10^-12f/m 

S＝pi*(6*6-5*5)=34.56mm²

C=13.4pf 

由上可见，由于两个电感的重叠，会产生寄生电容，不利于第一线圈单元1和第二线圈单元2的去耦，甚至会引起去耦失效。因此，有必要对现有去耦合电感电路进行改进。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于线圈单元间的去耦合电感电路及使用该电路的磁共振系统，能够有效减小两个线圈单元交叠产生的寄生电容，从而达到电感去耦的目的。 

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种用于线圈单元间的去耦合电感电路，包括第一线圈单元及与所述第一线圈单元相连的第一电感线圈、第二线圈单元以及与所述第二线圈单元相连的第二电感线圈，所述第一电感线圈和第二电感线圈相邻近且彼此绝缘设置，其中，所述第一电感线圈和第二电感线圈部分地错位分开。 

进一步地，所述第一电感线圈和第二电感线圈分别位于两个平行的平面上。 

进一步地，所述去耦合电感电路分布在电路板上。 

进一步地，所述电路板为柔性电路板，所述第一电感线圈和第二电感线分布在所述柔性电路板的两侧。 

进一步地，所述电路板为印刷电路板，所述第一电感线圈和第二电感线圈分布在所述印刷电路板的一侧。 

进一步地，所述第一电感线圈与第二电感线圈外设置有绝缘层，所述第一电感线圈与第二电感线圈紧贴着分布在所述印刷电路板的一侧。 

进一步地，所述第一电感线圈和第二电感线圈的半径均为2mm～8mm。 

进一步地，所述第一电感线圈和第二电感线圈的宽度均为0.5mm～2mm。 

进一步地，所述第一电感线圈和第二电感线圈的匝数均为1。 

进一步地，所述第一线圈单元和第二线圈单元向中间相对延伸分别形成第一电感线圈和第二电感线圈。 

进一步地，所述第一电感线圈、第二电感线圈均为通过绕线方式形成的线圈。 

进一步地，所述第一电感线圈具有第一几何中心线，所述第二电感线圈具有第二几何中心线，所述第一几何中心线与所述第二几何中心线不重合。 

进一步地，所述第一几何中心线是通过所述第一电感线圈几何中心且与所述第一电感线圈所在平面垂直的线，所述第二几何中心线是通过所述第二电感线圈几何中心且与所述第二线圈所在平面垂直的线。 

进一步地，所述第一几何中心线与第二几何中心线相平行。