[实用新型]一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构。

背景技术

随着微电子技术的迅速发展，集成电路复杂度的增加，集成电路具有更小的外形，更高的性能。这就对集成电路塑封引线框架提出了更高的要求，要求引线框架具备更高的电性能，更高的可靠性。因此引线框架制造要不断技术更新，严格质量管理，更好地适应封装技术和集成电路发展的需求。

现有技术的引线框架与下模间距镶件的结构，如图1所示，下模间距镶件2为L形，对应的，引线框架1头部设有头部连杆3，在注塑封装时，灌胶方向如图中箭头所示，极易导致溢胶的发生，造成产品脱模后，还需要增加除残胶的工序，浪费人力及原材料，生产效率低下。

发明内容

本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，其注塑时不易溢胶，减少脱模后的除胶工序，节约人力资源和原材料，生产效率较高。

本实用新型的目的通过以下技术方案实现：

一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，包括引线框架和下模间距镶件，所述引线框架包括头部连杆和管脚连杆，所述下模间距镶件的一侧设有凹槽，所述头部连杆和所述凹槽配合设置。

所述头部连杆的长度和所述凹槽的深度均为0.2-0.35mm。

所述头部连杆的长度和所述凹槽的深度均为0.28mm。

所述管脚连杆侧边为曲折形状。

所述管脚连杆宽度为0.78mm。

本实用新型的有益效果：

本实用新型的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，阻止多余胶体溢出头部，并且增长了引线框架头部连杆，且将下模间距镶件与头部连杆配合的部位由L形变成凹槽，加强了头部连杆与下模间距镶件的配合紧密度，有效地减少了树脂从引线框架头部溢出，减少了脱模后的除胶工序，节约了人力资源和原材料，提高了生产效率。

附图说明　

利用附图对本实用新型做进一步说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。

图1是现有的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构示意图；

图2是本实用新型的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构示意图。

在图1、图2中包括有：

1——引线框架；

2——下模间距镶件；

3——头部连杆；

4——管脚连杆；

5——凹槽。

具体实施方式

结合以下实施例对本实用新型作进一步说明。

本实用新型所述的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，如图2所示，包括引线框架1和下模间距镶件2，引线框架1包括头部连杆3和管脚连杆4，下模间距镶件2的一侧设有凹槽，头部连杆3和凹槽配合设置，头部连杆3的长度和凹槽的深度均为0.28mm.

管脚连杆4侧边为曲折形状，其曲折深度为0.1mm，管脚连杆4宽度为0.78mm，

引线框架1在使用过程中，要重复在不同工序的设备的导轨中传送，引线框架1的管脚连杆3设计的较宽，不易变形，产品不易报废。

最后应说明的是：以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。