[实用新型]一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构有效
| 申请号： | 201220440693.2 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN202816928U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘思勇 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;B29C45/14 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523750 广东省东莞市黄江镇裕元工*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 引线 框架 间距 配合 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，包括引线框架和下模间距镶件，所述引线框架包括头部连杆和管脚连杆，其特征在于：所述下模间距镶件的一侧设有凹槽，所述头部连杆和所述凹槽配合设置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，其特征在于：所述头部连杆的长度和所述凹槽的深度均为0.2-0.35mm。
3.根据权利要求2所述的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，其特征在于：所述头部连杆的长度和所述凹槽的深度均为0.28mm。
4.根据权利要求1所述的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，其特征在于：所述管脚连杆侧边为曲折形状。
5.根据权利要求1所述的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，其特征在于：所述管脚连杆宽度为0.78mm。
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