[实用新型]一种引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件

说明书

技术领域

本实用新型属于电子信息自动化元器件制造技术领域，涉及一种IC芯片堆叠封装件，尤其涉及一种引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件。

背景技术

随着微型化以及性能提升趋势的不断发展，设计人员不断寻求在尽可能小的空间内获得尽可能高的电气功能和性能。在这一过程中存在的两个关键限制因素通常是集成度和I/O引脚限制。芯片空间和连接限制可从两个不同的层次来解决：第一种方法是通过片芯(或称裸片)层次的工艺尺度缩小来实现更高的集成度；第二种方法是通过堆叠多个芯片，即堆叠式封装或堆叠式电路板来实现更高的集成度。在现有芯片制造技术的基础上，芯片堆叠方式是利用现有技术获得下一代存储器密度的首选方法，并且可以实现不同类型（如数字、模拟、逻辑等）芯片间堆叠封装，实现系统性功能。

随着芯片、晶圆和封装水平的提高，在叠层封装中，低外形丝焊技术（或宝塔式丝焊技术）高度限制及叠层技术构形增加的复杂性对在叠层芯片应用中的丝焊技术提出了一些特殊的挑战。当芯片厚度减小时，不同线环形层之间的间隙相应减少。需要降低较低层的引线键合环形高度，以避免不同的环形层之间的线短路。环形顶层也需要保持低位，以便消除在模塑化合物外部暴露出焊线的现象。器件最大的环形高度，不应高于保持环形层之间最佳缝隙的芯片厚度。另外，模塑技术叠层芯片封装中线密度和线长度的增加，使模塑叠层封装比传统的单芯片封装更加困难。不同层的引线键合的环形，受到变化的各种的牵引力的影响，可形成焊线偏差的各种改变，从而增加了焊线短路的可能性。

实用新型内容

为了克服上述现有技术中存在的问题，本实用新型的目的是提供一种引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件，不仅能堆叠封装厚度尺寸较小的芯片，实现相应的功能，而且能保证焊线之间不短路，解决了现有技术中存在的问题。

为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件，包括引线框架载体、内引脚和外引脚，引线框架载体上封装有塑封体，引线框架载体上、从下往上粘贴有外形尺寸依次减小的至少三层IC芯片，相邻两层IC芯片之间压焊有键合线，每层IC芯片与内引脚之间也压焊有键合线。

本实用新型封装件采用宝塔式堆叠的IC芯片，减少了不同线环形层之间的间隙，降低了较低层的引线键合环形高度，避免不同环形层之间的线短路；环形顶层也保持低位，消除了模塑化合物外部暴露出焊线的现象。器件最大的环形高度，不高于保持环形层之间最佳缝隙的芯片厚度，降低了焊线短路的可能性。

附图说明

图1为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中3层芯片堆叠封装第一种实施例的结构示意图。

图2为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中3层芯片堆叠封装的第二种实施例的结构示意图。

图3为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中4层芯片堆叠封装第一种实施例的结构示意图。

图４为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中4层芯片堆叠封装第二种实施例的结构示意图。

图5为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中5层芯片堆叠封装第一种实施例的结构示意图。

图6为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中5层芯片堆叠封装第二种实施例的结构示意图。

图7为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中5层芯片堆叠封装第一种实施例的结构示意图。

图8为本实用新型宝塔式IC芯片堆叠封装件中5层以上宝塔式堆叠封装第二种实施例的结构示意图。

图中：1.引线框架载体，2.第一粘片，3.第一IC芯片，4.第二粘片，5.第二IC芯片，6.第一键合线，7.内引脚，8.第二键合线，9.第三键合线，10.第四键合线，11.第三IC芯片，12.第三粘片，13.第五键合线，14.塑封体，15.外引脚，16.第四IC芯片，17.第四粘片，18.第六键合线，19.第七键合线，20.第五IC芯片，21.第五粘片胶，22.第八键合线，23.第九键合线，a.相邻两层芯片同方向侧壁之间的距离。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。

本实用新型多层宝塔式IC芯片堆叠封装装件有3层宝塔式IC芯片堆叠、4层宝塔式IC芯片堆叠、5层宝塔式IC芯片堆叠、5层以上宝塔式IC芯片堆叠等几种封装形式。