[实用新型]一种半导体芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种半导体芯片。

背景技术

IPM（Intelligent Power Module），即半导体芯片，它是一种不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起；而且还内藏有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU的电子元器件。它由高速低功耗的管芯、优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。IPM一般使用IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为功率开关元件，内藏电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM以其高可靠性、使用方便等优点赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种非常理想的电力电子器件。

现有技术中，如图2所示的半导体芯片，其散热体由于其设计的不合理而导致二极管和晶体管的散热性不好；背面胶体常出现气洞和针孔。

发明内容

本实用新型的目的在于避免上述现有技术中的不足之处而提供一种半导体芯片，该半导体芯片可使二极管和晶体管有更好的散热性；也可改变模流方向，降低背面胶体出现气洞和针孔的风险。

本实用新型的目的通过以下技术方案实现：

提供了一种半导体芯片, 包括散热体、设置于散热体内部的电子元器件、与电子元器件连接并露出散热体外部的引脚，电子元器件包括二极管和晶体管，与二极管和晶体管对应的散热体的下表面设置为向上凸起的凹面。 

优选的，二极管设置为快恢复二极管。

另一优选的，晶体管设置为绝缘栅双极晶体管。

另一优选的，电子元器件还包括热敏电阻、驱动IC晶片和PCB板。

另一优选的，散热体为环氧塑封料制备成型的散热体。

本实用新型的有益效果：通过将与二极管和晶体管对应的散热体的下表面设置为向上凸起的凹面，使得二极管和晶体管有更好的散热性；也可改变模流方向，降低背面胶体出现气洞和针孔的风险。

附图说明

利用附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。

图1为本实用新型的一种半导体芯片的实施例的结构示意图。

图2为现有技术的半导体芯片的结构示意图。

在图1和图2中包括有：

1——散热体、11——凹面；

2——引脚；

3——二极管； 

4——晶体管；

5——热敏电阻；

6——驱动IC晶片；

7——PCB板；

8——金属线。

具体实施方式

结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。

本实用新型的一种半导体芯片的具体实施方式，如图1所示，包括散热体1、设置于散热体1内部的电子元器件、与电子元器件连接并露出散热体1外部的引脚2，电子元器件包括二极管3和晶体管4，与二极管3和晶体管4对应的散热体1的下表面设置为向上凸起的凹面11。 

本实用新型的有益效果：通过将二极管3和晶体管4对应的散热体1的下表面设置为向上凸起的凹面11，使得二极管3和晶体管4有更好的散热性；也可改变模流方向，降低背面胶体出现气洞和针孔的风险。

具体的，二极管3设置为快恢复二极管。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。

具体的，晶体管4设置为绝缘栅双极晶体管。绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性。

具体的，电子元器件还包括热敏电阻5、驱动IC晶片6和PCB板7。电子元器件通过金属线8互相连接，如图1所示。

具体的，散热体1为环氧塑封料制备成型的散热体1。环氧模塑料（EMC－Epoxy Molding Compound）即环氧树脂模塑料、环氧塑封料，是由环氧树脂为基体树脂，以高性能酚醛树脂为固化剂，加入硅微粉等为填料，以及添加多种助剂混配而成的粉状模塑料。塑料封装（简称塑封）材料95％以上采用EMC，塑封过程是用传递成型法将EMC挤压入模腔,并将其中的半导体芯片包埋，同时交联固化成型，成为具有一定结构外型的半导体器件。