[实用新型]易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。

现有的化学气相沉积设备，在反应室中通入反应气体，对位于反应室中的基底材料表面上进行薄膜沉积，但是此沉积过程中，通常会产生大量的副产物废气，尤其是对基底材料进行快速沉积（即沉积率高）时，与排气通道连通的抽气泵需要抽取很多的反应室副产物废气，因此无法将废气很快的完全排出，导致这些副产物废气会附着在反应室、排气通道及反应室与排气通道中间的隔离阀和压力调节阀处。

通常，在进行沉积薄膜后，所述化学气相沉积设备的反应室还会通入由清洗器发生装置输出的清洗气体用于去除反应室内的副产物，但为了保证不影响反应室中基底材料表面已形成的薄膜质量，往往会控制清洗气体的量，从而所述清洗气体在去除反应室内的副产物之后所剩余的量很少，不足以清除与所述反应室输出端相连通的压力调节阀及与其连接的通道上的副产物沉积物，这些副产物沉积物是由从所述反应室输出的、未及时排出的废气在通道中传输时热损耗后形成泡沫状沉积物，长期附着在压力调节阀上，影响压力调节阀的正常运转。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，用于解决现有技术中的化学气相沉积设备缺乏对压力调节阀及与其连接的通道上附着的副产物进行清除导致压力调节阀的无法正常运转的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备至少包括：

清洗气体发生装置、及通过主通道依次顺序连通的反应室、隔离阀、压力调节阀及抽气泵；其中，所述清洗气体发生装置通过清洗气体供应通道连通至所述反应室的第一输入端，所述清洗气体供应通道与一设有第一阀门的旁通道的一端连通，位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道与所述旁通道的另一端连通。

可选地，所述第一输入端设置有第二阀门。

可选地，所述清洗气体发生装置输出的是离子状态的含氟的气体或离子状态的含氯的气体。

可选地，所述清洗气体供应通道上、及位于所述隔离阀和压力调节阀之间的主通道上，均设有供其分别与旁通道进行连通的孔洞。

可选地，在各该孔洞周围、所述清洗气体供应通道和旁通道的连接处、及主通道和旁通道的连接处包裹有密封圈。

可选地，所述化学气相沉积设备还包括与所述抽气泵相连通的废气通道。

可选地，所述废气通道的一端连通至抽气泵，所述废气通道的另一端连通至毒性去除装置。

可选地，所述化学气相沉积设备还包括借助反应气体供应通道与所述反应室第二输入端相连通的反应气体发生装置。

可选地，所述第二输入端设置有第三阀门。

可选地，所述主通道、旁通道、清洗气体供应通道、反应气体供应通道的材料为铝。

如上所述，本实用新型的易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备，具有以下有益效果：与现有的化学气相沉积设备相比较，本实用新型的化学气相沉积设备增加了直接引入清洗气体至压力调节阀的旁通道，利用清洗气体发生装置产生的清洗气体有效地针对压力调节阀及与其连接的通道上附着的副产物进行清除，保证了压力调节阀的长期正常运转，同时，本实用新型中的相关装置及阀门均通过计算机进行控制，易于操作，且本实用新型设计简单方便，便于实施，成本低。

附图说明

图1和图2显示为本实用新型的易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备的结构示意图。

元件标号说明

1清洗气体发生装置

2反应室

21第二阀门

22第三阀门

3隔离阀

4压力调节阀

5抽气泵

6反应气体发生装置

7主通道

8旁通道

81第一阀门

9反应气体供应通道

10清洗气体供应通道

11废气通道