[实用新型]图像传感器的晶圆级封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及芯片封装领域，特别涉及一种图像传感器的晶圆级封装结构。

背景技术

图像传感器是一种将一维或二维光学信息（optical information）转换为电信号的装置。图像传感器可以被进一步地分为两种不同的类型：互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器和电荷耦合器件（CCD）图像传感器。其中CMOS图像传感器具有比CCD图像传感器更广泛的应用。CMOS图像传感器包括用于感测辐射光的光电二极管以及用于将所感测的光处理为电信号数据的CMOS逻辑电路。

芯片级封装（Chip Scale Package,CSP）是一种广泛应用的图像传感器的封装技术。随着芯片的尺寸越来越小，功能越来越强，焊垫数目增多，间距变窄，相应地，对芯片封装也提出了较高的要求，晶圆级封装逐渐应用到图像传感器的封装中。

然而，现有技术采用晶圆级封装图像传感器时，形成的图像传感器的晶圆级封装结构的性能不够稳定。

更多有关晶圆级封装的资料请公开号为CN101740422A的中国专利文件。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种图像传感器的晶圆级封装结构，所述图像传感器的晶圆级封装结构的性能稳定。

为解决上述问题，本实用新型的实施例提供了一种图像传感器的晶圆级封装结构，包括：

图像传感器；

位于图像传感器一侧表面的引脚，位于图像传感器另一侧表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述图像传感器的表面和侧壁；

位于第一绝缘层内的通孔，所述通孔暴露出图像传感器引脚；

形成于第一绝缘层表面的焊盘；

位于第一绝缘层表面和通孔侧壁、且与焊盘和图像传感器引脚电连接的金属线层；

包裹所述金属线层表面和侧壁的第二绝缘层。

可选地，每一图像传感器引脚对应区域的第一绝缘层内通孔的个数为一个或多个。

可选地，所述第二绝缘层的材料为环氧树脂。

可选地，所述第二绝缘层的厚度为10微米-20微米。

可选地，还包括：位于焊盘表面形成焊点，所述焊点表面高于第二绝缘层表面。

可选地，还包括：基板，图像传感器的感光单元靠近所述基板表面；位于所述基板和晶圆之间的通孔基板，所述通孔基板暴露出图像传感器的感光单元。

可选地，所述通孔基板的材料为陶瓷、玻璃、BT树脂、耐燃材料或高聚物光刻材料。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：

所述金属线层表面和侧壁包裹有第二绝缘层，有效避免了金属线层和外界的空气、水分等接触，所述金属线层不易被氧化，本实用新型图像传感器的晶圆级封装结构的性能稳定。

进一步的，每一图像传感器引脚对应区域的第一绝缘层内通孔的个数为多个，避免了其中一个通孔的金属线层与引脚的接触不良，而导致的封装的图像传感单元的信号传输不畅的问题，图像传感器的晶圆级封装结构的稳定性高。

附图说明

图1是现有技术的图像传感器的晶圆级封装结构的制作过程的剖面结构示意图；

图2是本实用新型实施例的图像传感器的晶圆级封装结构的制作方法的流程示意图；

图3-图10是本实用新型实施例的图像传感器的晶圆级封装结构的制作过程的剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术采用晶圆级封装图像传感器时，形成的图像传感器的晶圆级封装结构的性能不够稳定。

经过研究，发明人发现，请参考图1，现有技术采用晶圆级封装图像传感器的过程，包括：提供形成有多个图像传感器13的晶圆，所述图像传感器13一侧的表面13a具有引脚11；形成位于所述图像传感器13另一侧表面13b和侧壁13c的第一绝缘层15，所述第一绝缘层15覆盖所述图像传感器13的表面13b和侧壁13c；在每一图像传感器13的引脚11对应区域的第一绝缘层15内形成通孔（未标示），所述通孔暴露出图像传感器13的引脚11；在所述第一绝缘层15表面形成焊盘17，并在第一绝缘层15表面和通孔侧壁形成金属线层19，所述金属线层19与焊盘17和图像传感器13的引脚11电连接；形成覆盖所述金属线层19的第二绝缘层21；刻蚀所述第二绝缘层21暴露出焊盘17，并在所述焊盘17表面形成焊点23；待形成焊点23后，切割所述晶圆、第一绝缘层15、第二绝缘层21和金属线层19，形成多个独立的图像传感单元（未标示）。