[实用新型]一种基于冲压框架的多芯片堆叠式扁平封装件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种基于冲压框架的多芯片堆叠式扁平封装件，属于集成电路封装技术领域。

背景技术

QFN(四面扁平无引脚封装)及DFN(双扁平无引脚封装)封装是在近几年随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生(数码相机、手机、PC、MP3)而发展起来的、适用于高频、宽带、低噪声、高导热、小体积，高速度等电性要求的中小规模集成电路的封装。我们知道QFN/DFN封装有效地利用了引线脚的封装空间，从而大幅度地提高了封装效率。但目前大部分半导体封装厂商QFN/DFN的制造过程中对于框架的选用都面临一些难题，现有框架为冲压框架和蚀刻框架两种，冲压框架，其模具采用机械法工形成，生产效率高，单颗产品成本较低，但对于一些特殊图形的引线框架，无法选用冲压法加工，例如QFN/DFN/QFP等载体外露的框架，载体与内引脚之间有一定的高度差，形成一定的台阶，冲压法难以实现及控制好该台阶；化学蚀刻框架，其模具费用低，开发周期短，可达到2周～1个月，封装时塑封、切割模具可共用，投入成本低，但其生产效率低，且单颗产品成本较高。

现有QFN/DFN工艺的塑封工序中，由于框架结构的局限性，导致QFN/DFN封装存在以下不足：

1.集成电路芯片和载体的结合力不好，当受外界环境变化的影响时，会造成产品内部产生分层缺陷，致使性能褪化，甚至失效。

2.载体背面和塑封料的结合力不好，当受外界环境的影响，会造成产品产生缺陷(分层)；或外露载体(基岛)上有较厚的溢料。

实用新型内容

针对上诉常规冲压框架、蚀刻框架的缺陷，本实用新型提供一种基于冲压框架的多芯片堆叠式扁平封装件，塑封料与框架的结合更牢固，抗分层效果更好。

本实用新型采用的技术方案：多芯片堆叠式封装件包括引线框架1、芯片A3与引线框架1之间的粘片胶A2、芯片A3、芯片A3与引线框架1之间的键合线A4、开孔5、塑封体6、芯片A3与芯片B8之间的粘片胶B7、芯片B8、芯片A3与芯片B8之间的键合线B9、芯片B8与引线框架1间的键合线C10；塑封体6包围了引线框架1、芯片A3与引线框架1之间的粘

片胶B7、芯片B8、芯片A3与芯片B8之间的键合线B9、芯片B8与引线框架1间的键合线C10；塑封体6包围了引线框架1、芯片A3与引线框架1之间的粘片胶A2、芯片A3、芯片A3与引线框架1之间的键合线A4、开孔5、塑封体6、芯片A3与芯片B8之间的粘片胶B7、芯片B8、芯片A3与芯片B8之间的键合线B9、芯片B8与引线框架1间的键合线C10；构成了电路整体，并且塑封体6对芯片A3、芯片B8、键合线A4、键合线B9、键合线C10起到了支撑和保护作用，芯片A3、芯片B8、键合线A4、键合线B9、键合线C10和引线框架1构成了电路的电源和信号通道。

所述的键合线A4、键合线B9、键合线C10为金线或者铜线；粘片胶A2和粘片胶B7可以用胶膜片(DAF)代换。

本实用新型有益效果：采用一种新型的框架，该框架采用冲压法加工而成，并采用冲压或钻孔的方法在框架上形成通孔，用以替代蚀刻法在框架上蚀刻出台阶从而起到抗分层的作用，集成电路封装过程中塑封料填入孔中，从而在框架与塑封料之间形成有效的防拖拉结构，使塑封料与框架间的结合力更好，极大的降低了分层的可能行，显著提高产品可靠性。同时解决了以往研磨框架及半腐蚀框架费用高的缺陷，极大的降低了成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图中：1-引线框架、2-粘片胶A、3-芯片A、4-键合线A、5-开孔、6-塑封体、7-粘片胶B、8-芯片B、9-键合线B、10-键合线C。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明，以方便技术人员理解。