[实用新型]镍镉充电电池记忆效应消除装置

说明书

技术领域

本实用新型属于电子与充电电池放电技术领域，涉及一种镍镉充电电池记忆效应消除装置。

背景技术

镍镉充电电池如果在使用过程中放电不够彻底，就会产生记忆效应，造成充电一次，原有电量就会减少一点，记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用。要消除镍镉充电电池这种记忆效应，可采用本实用新型所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，使镍镉充电电池能够完全放电。但是，如果不采取特别的放电措施，镍镉充电电池会有过放电的风险，有可能使镍镉充电电池的极性发生反转。本实用新型设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7V，这样既保证了镍镉充电电池的正确放电，也不会发生镍镉充电电池极性反转的现象，可对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。

以下详细说明本实用新型所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置在实施过程中所涉及的技术内容。

实用新型内容

发明目的及有益效果：镍镉充电电池在使用中如果放电不够彻底，就会产生记忆效应，记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用，采用本实用新型所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，可使镍镉充电电池能够完全放电。而且不会发生镍镉充电电池过放电的风险，而使镍镉充电电池的极性反转。本实用新型设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7V，既保证了镍镉充电电池的正确放电，也不会发生电池极性反转现象，对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用，使其延迟了使用寿命。

电路工作原理：镍镉充电电池记忆效应消除装置的电路在接通1.2V镍镉充电电池后，镍镉充电电池经过电阻R1和高频变压器T的L1绕组使NPN型晶体管VT1的基极—发射极通电，NPN型晶体管VT1因高频变压器T绕组的正反馈作用而很快导通，在NPN型晶体管VT1导通后趋于稳态，这时高频变压器T两个绕组的交流阻抗消失，直流电阻几乎为0，这时NPN型晶体管VT1的集电极—发射极之间电压很低，不能使发光二极管LED1～LED2发光。NPN型晶体管VT1的基极电压低于NPN型晶体管导通门限电压0.7V时，于是使NPN型晶体管VT1截止。NPN型晶体管VT1截止的瞬间，因高频变压器T的L2绕组中的储能与镍镉充电电池电压相加而使发光二极管LED1～LED2发光。在发光二极管LED1～LED2发光期间，高频变压器T的L1绕组又有电流流过，使NPN型晶体管VT1再次因高频变压器T的正反馈导通，如此周而复始产生间歇振荡，振荡频率约在1kHz。在反激式间歇振荡电路间歇振荡期间，NPN型晶体管VT1导通时高频变压器T的L2绕组积蓄电能，这时发光二极管LED1～LED2不发光。当NPN型晶体管VT1截止时，高频变压器T的L2绕组储能与镍镉充电电池电压串联使发光二极管LED1～LED2发光，镍镉充电电池得以间歇放电，随着镍镉电池放电其电压也逐渐减小。当镍镉充电电池电压放电电压低于NPN型晶体管导通门限电压0.7V时，发光二极管LED1～LED2将不再发光，镍镉充电电池放电过程结束。

技术方案：镍镉充电电池记忆效应消除装置，它由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成，其特征包括：

反激式间歇振荡电路：由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成，NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组同名端，高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC, NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端，高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND；

放电负载电路：由发光二极管LED1和发光二极管LED2组成，发光二极管LED1和发光二极管LED2的正极接NPN型晶体管VT1的集电极，发光二极管LED1的负极和发光二极管LED2的负极接电路地GND。

1.2V镍镉充电电池的正极接电路正极VCC，1.2V镍镉充电电池的负极与电路地GND相连。

附图说明

附图1是镍镉充电电池记忆效应消除装置在实施例中所用的电路工作原理图。

具体实施方式

按照附图1所示镍镉充电电池记忆效应消除装置的电路工作原理图和附图说明，并且按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间的连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求进行实施即可实现本实用新型。

元器件名称及主要技术参数