[实用新型]镍镉充电电池记忆效应消除装置有效
申请号: | 201220402423.2 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN202737523U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 黄宇嵩 | 申请(专利权)人: | 黄宇嵩 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电电池 记忆 效应 消除 装置 | ||
1.一种镍镉充电电池记忆效应消除装置,它由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成,其特征包括:
反激式间歇振荡电路由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成,NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组的同名端,高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC, NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端,高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND;
放电负载电路由发光二极管LED1和发光二极管LED2组成,发光二极管LED1和发光二极管LED2的正极接NPN型晶体管VT1的集电极,发光二极管LED1的负极和发光二极管LED2的负极接电路地GND。
2.根据权利要求1所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置,其特征是:1.2V镍镉充电电池的正极接电路正极VCC,1.2V镍镉充电电池的负极与电路地GND相连。
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