[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体装置，尤其涉及应用在IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块）中的、包含减少开启阻抗的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的半导体装置。

背景技术

如图1所示，在日本特开2007-165635号专利中公开了一种半导体装置，该半导体装置使用了一半导体衬底1，该半导体衬底1具有：具有N型间隔区域31的沟槽栅型IGBT的活性层形成区域；具有沟槽2的第1外周结构，用以包围活性层形成区域；以及具有形成为包围着第1外周结构的沟道截断环9的第2外周结构。

当形成比漂移区域32浓度高的N型间隔区域31时，能够降低IGBT的开启阻抗，不过IGBT的耐圧性也降低了。当将N型间隔区域31插入到IGBT的外周区域的角部或者栅极焊盘的角部附近的区域时，这些区域的耐圧性变弱，会导致损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种半导体装置，以防止在IGBT的外周区域的角部附近的地方开始发生损坏。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种半导体装置，具有半导体衬底，所述半导体衬底具有：

第1半导体区域，其处于所述半导体衬底1的第1主面上，并具有第1导电类型；

第2半导体区域，其形成于所述第1半导体区域7之上，并具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型；以及

第3半导体区域，其与所述第2半导体区域相接，并具有所述第2导电类型，所述第3半导体区域比所述第2半导体区域的杂质浓度高，

其中，在所述半导体衬底1的活性层形成区域中具有：

第4半导体区域，其形成于所述第3半导体区域1之上，并具有所述第1导电类型；

第5半导体区域，其与所述第4半导体区域相接，并具有所述第2导电类型；

沟槽，其从所述第5半导体区域的上部的面开始，至少达到所述第4半导体区域的下部的面；

绝缘膜，其形成于所述沟槽的侧面及底面；以及

控制电极，形成于所述绝缘膜的内侧，

其中，在包围所述半导体衬底1的活性层形成区域的外周区域中，所述第2半导体区域达到所述半导体衬底的第2主面，

从半导体衬底的第2主面的上方观察，在所述活性层形成区域的角部中，所述第4半导体区域和所述第2半导体区域相接。

通过本实用新型提供的半导体装置，在活性层形成区域的角部中，由于不存在第3半导体区域，从而防止了在IGBT的外周区域的角部附近的地方开始发生损坏的情况。

附图说明

图1为现有技术的半导体装置的俯视结构示意图。

图2为本实用新型的实施例1的半导体装置的俯视结构示意图。

图3为沿图2的虚线A-A’剖面后的半导体装置的剖面结构示意图。

图4为沿图2的虚线B-B’剖面后的半导体装置的剖面结构示意图。

图5为沿图2的虚线C-C’剖面后的半导体装置的剖面结构示意图。

图6为沿图2的虚线D-D’剖面后的半导体装置的剖面结构示意图。

图7为本实用新型的实施例2的半导体装置的俯视结构示意图。

图8为本实用新型的实施例3的半导体装置的俯视结构示意图。

具体实施方式

实施例1

下面结合图2-6来说明本实用新型的实施例1的结构。图2是从第2主面21向下观察的俯视结构示意图。图3-图6分别是对应于图2中的各个剖面线的剖面结构示意图。

本实用新型的一种半导体装置具有半导体衬底1，该半导体衬底1具有：

第1半导体区域7，其处于半导体衬底1的第1主面22上，并具有第1导电类型。在本实施例中，第1半导体区域7具体为P型集电极层7。在本实施例中，第1导电类型可以包括P+、P和P-等类型，其中，P+、P和P-等类型是根据浓度的不同而划分的。

第2半导体区域32，其形成于第1半导体区域7之上，并具有与第1导电类型相反的第2导电类型。在本实施例中，第2半导体区域32具体为N-型漂移区域32。在本实施例中，第2导电类型可以包括N+、N和N-等类型，其中，N+、N和N-等类型是根据浓度的不同而划分的。

另外，在N-型漂移区域32与P型集电极层7之间，还可以设置有与P型集电极层7相接的N+型缓冲层6，在这种情况下，N-型漂移区域32与N+型缓冲层6相接。