[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有半导体衬底（1），其特征在于，

所述半导体衬底（1）具有：

第1半导体区域（7），其处于所述半导体衬底（1）的第1主面（22）上，并具有第1导电类型；

第2半导体区域（32），其形成于所述第1半导体区域（7）之上，并具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型；以及

第3半导体区域（31），其与所述第2半导体区域（32）相接，并具有所述第2导电类型，所述第3半导体区域（31）比所述第2半导体区域（32）的杂质浓度高，

其中，在所述半导体衬底（1）的活性层形成区域中具有：

第4半导体区域（4），其形成于所述第3半导体区域（31）之上，并具有所述第1导电类型；

第5半导体区域（3），其与所述第4半导体区域（4）相接，并具有所述第2导电类型；

沟槽（2），其从所述第5半导体区域（3）的上部的面开始，至少达到所述第4半导体区域（4）的下部的面；

绝缘膜（10），其形成于所述沟槽（2）的侧面及底面；以及

控制电极（11），其形成于所述绝缘膜（10）的内侧，

其中，在包围所述半导体衬底（1）的活性层形成区域的外周区域中，所述第2半导体区域（32）达到所述半导体衬底（1）的第2主面（21），

从半导体衬底（1）的第2主面（21）的上方观察，在所述活性层形成区域的角部中，所述第4半导体区域（4）和所述第2半导体区域（32）相接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从所述半导体衬底（1）的第2主面（21）的上方观察，在栅极焊盘形成区域（27）下部的半导体衬底（1）中，所述第4半导体区域（4）与所述第2半导体区域（32）相接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

从所述半导体衬底（1）的第2主面（21）的上方观察，栅极焊盘形成区域（27）形成在半导体衬底（1）的第1侧面侧，向所述半导体衬底（1）的第一侧面侧延伸的第3半导体区域（31）的部分，在与所述栅极焊盘形成区域（27）相对的端部上，呈缺角状。