[实用新型]一种阵列基板线路不良维修装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体线路维修设备领域，尤其涉及一种阵列基板线路不良维修装置。

背景技术

在薄膜晶体管TFT阵列基板制造工艺中，需要在玻璃基板上沉积形成薄膜晶体管TFT像素阵列电路，工艺中产生的缺陷，可以通过维修装置进行维修，如CVD维修设备。目前，在阵列基板线路不良维修装置中使用的维修材料多为六羰基钨W(CO)6，六羰基钨在室温下为固态，当加热至50~60℃时呈粉末状固体。

现有的维修装置中设有六羰基钨存储器，六羰基钨存储器的进气口与Ar气导入管连通，出气口通过导气管与反应腔室的进气端连通；将六羰基钨存储器加热至50~60℃，六羰基钨呈粉末状，同时通过六羰基钨存储器的进气口通入Ar气，Ar气将粉末状的六羰基钨通过导入管带入反应腔室。进入反应腔室的六羰基钨经激光照射，在光效应和热效应作用下，逐渐生成单质钨和废气，单质钨沉积于放置在反应腔室内的阵列基板的线路中需维修的位置，实现对阵列基板中线路不良的维修；六羰基钨的反应过程如下：

W(CO)6+351nm->W(CO)5+CO

W(CO)6+248nm->W(CO)4+2CO

逐级反应至单质钨，对线路进行维修。

有上述反应过程可以看出，六羰基钨在反应之后中，反应腔室内不仅包括反应生成物CO、CO2以及单质钨等，同时，也会存在一些反应副产物W(CO)5等，以及未反应的六羰基钨则通过反应腔室排气端设置的废气排放管排出反应腔室，废气排放管的外端与废气高温氧化腔室连通，以将废气通入废气高温氧化腔室，增强环保性。

由于反应过程中，反应腔室内充满粉末状反应物六羰基钨，而反应激光的激光束直径设定值均在5*5um以下，因此未反应的六羰基钨均通过废气排放管作为废气被处理掉，造成了大量的浪费。

实用新型内容

本实用新型提供了一种阵列基板线路不良的维修装置，该装置可以对维修的反应腔室内未反应的六羰基钨进行部分回收，降低了六羰基钨的浪费。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种阵列基板线路不良维修装置，包括用于放置待维修的阵列基板的反应腔室，和向所述反应腔室内导入六羰基钨原料的原料供应装置；所述原料供应装置的输出端与所述反应腔室的进气端连通，所述反应腔室的排气端具有废气排放管；还包括：

至少一个回收未反应的六羰基钨的回收罐，每一个所述回收罐的入口通过回收管路与所述反应腔室的排气端连通；每一个所述回收罐设有降温装置，且与所述反应腔室的排气端之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。

优选地，还包括：

位于所述回收罐内采集回收罐内温度信息的温度感应装置；

信号连接所述温度感应装置，并根据所述温度感应装置采集的温度信息的变化趋势生成控制指令的处理单元；

信号连接所述处理单元，并根据所述处理单元生成的控制指令控制所述降温装置功率的调节单元。

优选地，所述降温装置为水冷装置，所述水冷装置具有水冷管和制冷机。

优选地，所述水冷装置的水冷管设置于所述回收罐内壁。

优选地，所述处理单元为温度控制器TC。

优选地，还包括：

废气高温氧化腔室，所述废气排放管的外端与所述废气高温氧化腔室连通，且所述回收罐的出口与所述废气高温氧化腔室连通。

优选地，所述废气排放管与所述废气高温氧化腔室之间设有单向阀，且所述回收罐的出口与所述废气高温氧化腔室之间设有单向阀。

优选地，所述回收罐的入口与出口之间设有之字形气体通路。

优选地，所述回收罐的入口和出口均设有开关阀。

优选地，所述废气高温氧化腔室的出口设置有真空泵。

本实用新型提供的阵列基板线路不良的维修装置，包括用于放置待维修的阵列基板的反应腔室，和向所述反应腔室内导入六羰基钨原料的原料供应装置；所述原料供应装置的输出端与所述反应腔室的进气端连通，所述反应腔室的排气端具有废气排放管；还包括：

至少一个回收未反应的六羰基钨的回收罐，每一个所述回收罐的入口通过回收管路与所述反应腔室的排气端连通；每一个所述回收罐设有降温装置，且与所述反应腔室的排气端之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。