[实用新型]一种阵列基板线路不良维修装置有效
| 申请号: | 201220394242.X | 申请日: | 2012-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN202712154U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
| 发明(设计)人: | 曹宇;赵海生 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 线路 不良 维修 装置 | ||
1.一种阵列基板线路不良维修装置,包括用于放置待维修的阵列基板的反应腔室,和向所述反应腔室内导入六羰基钨原料的原料供应装置;所述原料供应装置的输出端与所述反应腔室的进气端连通,所述反应腔室的排气端具有废气排放管;其特征在于,还包括:
至少一个回收未反应的六羰基钨的回收罐,每一个所述回收罐的入口通过回收管路与所述反应腔室的排气端连通;每一个所述回收罐设有降温装置,且与所述反应腔室的排气端之间设有防止固态反应副产物通过的气帘装置。
2.根据权利要求1所述的维修装置,其特征在于,还包括:
位于所述回收罐内采集回收罐内温度信息的温度感应装置;
信号连接所述温度感应装置,并根据所述温度感应装置采集的温度信息的变化趋势生成控制指令的处理单元;
信号连接所述处理单元,并根据所述处理单元生成的控制指令控制所述降温装置功率的调节单元。
3.根据权利要求2所述的维修装置,其特征在于,所述降温装置为水冷装置,所述水冷装置具有水冷管和制冷机。
4.根据权利要求3所述的维修装置,其特征在于,所述水冷装置的水冷管设置于所述回收罐内壁。
5.根据权利要求2所述的维修装置,其特征在于,所述处理单元为温度控制器TC。
6.根据权利要求1~5任一项所述的维修装置,其特征在于,还包括:
废气高温氧化腔室,所述废气排放管的外端与所述废气高温氧化腔室连通,且所述回收罐的出口与所述废气高温氧化腔室连通。
7.根据权利要求6所述的维修装置,其特征在于,所述废气排放管与所述废气高温氧化腔室之间设有单向阀,且所述回收罐的出口与所述废气高温氧化腔室之间设有单向阀。
8.根据权利要求7所述的维修装置,其特征在于,所述回收罐的入口与出口之间设有之字形气体通路。
9.根据权利要求8所述的维修装置,其特征在于,所述回收罐的入口和出口均设有开关阀。
10.根据权利要求9所述的维修装置,其特征在于,所述废气高温氧化腔室的出口设置有真空泵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





