[实用新型]PCB的加热装置和PCB有效
| 申请号： | 201220386046.8 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN202713779U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 田贵明;刘忠党 | 申请（专利权）人： | 杭州华三通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市高新技术产业*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pcb 加热 装置 | ||
1.一种PCB的加热装置，其特征在于，该加热装置包括：MOSFET、可使MOSFET发热的控制电路、以及设于PCB的接地覆铜；其中，接地覆铜与MOSFET的接地端导热连接。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，MOSFET为PMOS管、PMOS管的接地端为漏极。
3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，控制电路包括：电源输入端、PNP三极管、第一电阻、第二电阻；
PNP三极管的发射极与电源输入端电连接、基极与PMOS管的源极电连接，并且，第一电阻连接在PNP三极管的发射极与基极之间；
PNP三极管的集电极与PMOS管的栅极电连接，并且，PMOS管的栅极通过第二电阻接地。
4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，控制电路进一步包括：第一电容；
第一电容连接在电源输入端与PMOS管的栅极之间。
5.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，控制电路进一步包括：第三电阻；
第三电阻连接在PNP三极管的集电极与PMOS管的栅极之间。
6.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，控制电路进一步包括第二电容和第四电阻；
PMOS管的栅极进一步通过串联的第二电容和第四电阻接地。
7.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，接地覆铜设于PCB的内层、并通过开设于PCB的盲孔和/或过孔与PMOS管的漏极导热连接。
8.一种PCB，其特征在于，该PCB装设有如权利要求1至7中任意一项所述的加热装置。
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