[实用新型]一种晶体管版图结构及芯片版图结构

说明书

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶体管版图结构及芯片版图结构。

背景技术

目前，在电脑管理芯片的版图结构中，多个晶体管的源极叉指条和漏极叉指条相互交叉，如图1所示，在两个晶体管之间设置有一个公用接触孔的条状衬底。在这种芯片中，晶体管的栅极为条状结构，且晶体管的面积较大，晶体管和由晶体管集成的芯片的制作成本较高。

实用新型内容

本申请所要解决的技术问题是提供一种晶体管版图结构及芯片版图结构，用以解决现有的晶体管版图结构面积较大，使得晶体管及芯片制作成本较大的技术问题，以及用以解决现有的晶体管版图结构中条状结构的栅极寄生电阻较大，延长晶体管和芯片的启动时间，进而降低晶体管和芯片的工作效率的技术问题。

本申请提供了一种晶体管版图结构，包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，所述栅极区、所述源极区和所述漏极区位于所述衬底区上，其中：

所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；

所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，所述源极区位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。

上述晶体管版图结构，优选地，还包括至少一个源极接触孔、至少一个漏极接触孔和至少一个衬底接触孔，所述源极接触孔位于所述源极区，所述漏极接触孔位于所述漏极区，所述衬底接触孔位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。

上述晶体管版图结构，优选地，所述源极接触孔均匀分布。

上述晶体管版图结构，优选地，所述漏极接触孔均匀分布。

上述晶体管版图结构，优选地，所述衬底接触孔均匀分布。

上述晶体管版图结构，优选地，所述衬底接触孔与所述源极接触孔间隔分布，且均匀分布。

上述晶体管版图结构，优选地，所述栅极区呈八边形结构。

本申请还提供了一种芯片版图结构，包括至少一个如上述任意一项所述的晶体管版图结构。

由上述方案可知，本申请提供的一种晶体管版图结构及芯片版图结构，其栅极区为环状结构，在保证栅极区总长度一定的前提下，所述栅极区所需要占据的面积达到最小，即如现有技术中，栅极区分为两条状区域，则两条状区域和两条状区域之间的面积即为栅极区所需要占据的面积，在所述栅极区总长度一定的前提下，环形的栅极区可大大减少所述栅极区所需要占据的面积，即相应的减少单个晶体管的面积，并减小了由晶体管集成的芯片的面积，有效降低了晶体管和由晶体管集成的芯片的成本。

此外，本申请提供的一种晶体管版图结构及芯片版图结构，所述栅极区为环状结构，而且公知的，所述栅极区内设置有栅极，即所述栅极为环状结构，与现有技术相比，本实用新型中所提供的环状栅极总电阻相当于将现有的两条分离栅极并联之后的电阻，则该环状结构栅极的寄生电阻要小于现有的晶体管栅极寄生电阻之和，即本申请有效减小了栅极寄生电阻，相应的，减小了晶体管和由晶体管集成的芯片的启动时间，提高了晶体管和由晶体管集成的芯片的工作效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中栅极为条状结构的晶体管版图结构；

图2为本申请实施例一提供的一种晶体管版图结构的结构示意图；

图3为本申请实施例一提供的一种晶体管版图结构的另一结构示意图；

图4为本申请实施例二提供的一种晶体管版图结构的结构示意图；

图5为本申请实施例三提供的一种晶体管版图结构的结构示意图；

图6为本申请实施例三提供的一种晶体管版图结构的另一结构示意图；

图7为本申请实施例三提供的一种晶体管版图结构的另一结构示意图；

图8为本申请实施例三提供的一种晶体管版图结构的另一结构示意图；

图9为本申请实施例三提供的一种晶体管版图结构的另一结构示意图；

图10为本申请实施例四提供的一种晶体管版图结构的结构示意图；

图11为本申请实施例五提供的一种芯片版图结构的结构示意图；

图12为本申请实施例五提供的一种芯片版图结构的另一结构示意图。

具体实施方式