[实用新型]一种晶体管版图结构及芯片版图结构有效
| 申请号： | 201220383542.8 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN202758893U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 雷军;谢文刚;任民 | 申请（专利权）人： | 成都国微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 版图 结构 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管版图结构，其特征在于，包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，所述栅极区、所述源极区和所述漏极区位于所述衬底区上，其中：
所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；
所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，所述源极区位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。
2.根据权利要求1所述的晶体管版图结构，其特征在于，还包括至少一个源极接触孔、至少一个漏极接触孔和至少一个衬底接触孔，所述源极接触孔位于所述源极区，所述漏极接触孔位于所述漏极区，所述衬底接触孔位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。
3.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，所述源极接触孔均匀分布。
4.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，所述漏极接触孔均匀分布。
5.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，所述衬底接触孔均匀分布。
6.根据权利要求2所述晶体管版图结构，其特征在于，所述衬底接触孔与所述源极接触孔间隔分布，且均匀分布。
7.根据权利要求1所述的晶体管版图结构，其特征在于，所述栅极区呈八边形结构。
8.一种芯片版图结构，其特征在于，包括至少一个如权利要求1所述的晶体管版图结构。
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