[实用新型]半导体发光元件的封装结构有效

专利信息
申请号: 201220380426.0 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN202957287U 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 王冠捷;余宗翰 申请(专利权)人: 隆达电子股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 元件 封装 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种半导体元件的封装结构,且特别是涉及一种固态发光元件的封装结构。 

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)主要是通过电能转化为光能的方式发光。发光二极管的主要的组成材料是半导体,为理想的固态发光元件。传统的发光二极管以平置的方式配置在散热基板上,以增加散热效能。通常,发光二极管完成封装之后,需经过高温烧烤步骤以及点亮测试,以确保发光二极管的封装品质。然而,发光二极管的封装结构常常因高温烧烤而出现亮度衰减的问题,有待进一步改良其结构。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体发光元件的封装结构,可避免介电层发生变质或黄化,以改善亮度衰减的问题。 

为达上述目的,本实用新型提出一种半导体发光元件的封装结构,包括一基板、一线路板设置于其上、一半导体发光元件以及一涂覆层。其中,线路板具有一开口部并裸露出基板表面,使得半导体发光元件配置于其上,且利用一涂覆层涂布线路板表面以及开口部的侧壁。 

该线路板包括有介电层以及包覆该介电层上、下表面的电路层。 

该涂覆层为一金属镀层或一硅胶层。该金属镀层的材质为银或镍。 

该电路层的材质为铜。该介电层的材质为玻纤树脂。 

该封装结构还包括多条导线,电连接于该半导体发光元件与该线路板之间。该封装结构还包括一粘着层,接合于该线路板与该基板之间。该封装结构还包括封胶层,覆盖该半导体发光元件。 

该半导体发光元件为发光二极管。 

本实用新型的优点在于,其在线路板开口部侧壁形成一涂覆层,以避免 线路板的侧壁暴露于高温环境中造成变质或黄化而使半导体发光元件的出光亮度衰减,进而改善半导体发光元件的出光效能。在本实用新型的一实施例中,涂覆层例如可为一电镀金属层(例如银或镍)或一高分子层(例如硅胶),其至少覆盖线路板开口部的侧壁,而半导体发光元件则设置于开口部中,以使半导体发光元件的亮度不会受到线路板变质的影响而衰减。此外,当涂覆层为一高反射性的金属层时,还可增加半导体发光元件的出光效率,以提高光通量。 

为了对本实用新型的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下: 

附图说明

图1为本实用新型一实施例的半导体发光元件的封装结构的示意图。 

主要元件符号说明 

100:半导体发光元件的封装结构 

110:基板 

112:线路板 

120:介电层 

122:开口部 

130:电路层 

140:半导体发光元件 

142:导线 

150:涂覆层 

160:粘着层 

170:封胶层 

180:反射杯 

具体实施方式

以下是提出实施例进行详细说明,实施例仅用以作为范例说明,并非用以限缩本实用新型欲保护的范围。 

图1绘示依照本实用新型一实施例的半导体发光元件的封装结构的示意图。半导体发光元件的封装结构100包括一基板110、一介电层120、一由介电层120和包覆该介电层120的电路层130所构成的线路板112、一半导体发光元件140以及一涂覆层150。线路板112配置于基板110上,且线路板112具有一开口部122,裸露出基板110的表面。半导体发光元件140则是配置于开口部122所裸露的基板110表面上。涂覆层150则是形成于线路板112表面,并且可覆盖介电层120、电路层130及开口部122的侧壁。此外,线路板112与基板110之间更可配置一粘着层160,以接合线路板112与基板110。另外,半导体发光元件140例如以打线制作工艺的导线142电连接线路板112的电路层130,而二相邻的半导体发光元件140之间也可通过导线142彼此串联或并联,以组成一电路。另外,半导体发光元件140的上方更可形成一封胶层170,以覆盖半导体发光元件140及其周围的封装体。 

请参照图1,半导体发光元件140可由多个发光二极管组成。半导体发光元件140配置于高反射金属材质的基板110上,以使半导体发光元件140产生的热可经由基板110传递至外部。基板110的材质例如可为金属或金属化合物,较佳为铜质、铝质散热基板或是氧化铝、氮化铝等化合物或复合材。 

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