[实用新型]高线性度可编程跨导放大器电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电路，尤其是一种高线性度可编程跨导放大器电路，具体地说是一种可用于各类数模混合信号电路中信号检测放大的电路，属于集成电路的技术领域。

背景技术

跨导放大器电路在集成电路中的应用非常广泛，可应用于各类信号检测领域，用于对检测信号进行放大处理。随着近年来系统集成技术不断进步，各类专用SOC系统芯片不断推出，应用于SOC系统的跨导放大器电路的性能需具备数字电路可以精确调整的功能，以增加SOC的适用性和应用领域。并且现实条件中，由于工艺非理想特性的存在，存在一定的工艺波动范围，因此所设计电路特性和实际流片制造出来的电路特性可能会存在一定误差。对于高精度控制系统来说，这种工艺波动的影响应该控制在最低误差以内，工艺波动带来的误差必须被调整。因此有必要提供一种具有高线性度并且跨导可精确调整的放大器电路，以满足各类SOC系统芯片的特殊需求。

现有常用基本的跨导放大电路结构如图1所示，PMOS管M3和M4构成简单的PMOS电流镜电路，PMOS管M3的栅极接到M3管的漏端，NMOS管M1和M2构成输入差分对，M1的漏极连接到M3的漏极，M2的漏极连接到M4的漏极，NMOS管M1和M2的源极连接到一起并连接到M5管的漏端，M5的源极连接到地，NMOS管M5和M6构成简单的NMOS电流镜电路，NMOS管M6的漏极和栅极相连并连接到输入偏置电流Ib1，M6的源极接地。

通常为使得M1和M2的跨导恒定，M1和M2一般工作于饱和区。假设M6和M5的尺寸比例为1:1，则流过M5到地的电流为Ib1。可以得到M1和M2的跨导Gm1为：

Gm1=un·Cox·(W/L)·Ib1---(1)]]>

其中u_n为电子迁移率，C_ox为单位面积栅氧化层电容，W/L为MOS管M1或者M2的宽长比。对于固定的工艺条件来说，为实现一定的Gm1，可以调整的参数为W/L和Ib1，而电路设定W/L一般为固定值，唯一可以调整的参数为偏置电流Ib1。然而Ib1与跨导之间为平方根关系，要通过Ib1的变化实现跨导对于外部控制信号的线性调整显然非常困难。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种高线性度可编程跨导放大器电路，其结构紧凑，可用于各类模数混合信号中信号检测。

按照本实用新型提供的技术方案，所述高线性度可编程跨导放大器电路，包括PMOS电流镜电路及差分输入对；所述差分输入对包括第一MOS管及第二MOS管；所述第一MOS管的源极端通过第一源极电阻与第五MOS管的漏极端相连，且第二MOS管的源极端通过第二源极电阻与第五MOS管的漏极端相连；第五MOS管的栅极端与第六MOS管的栅极端、第六MOS管的源极端相连，第六MOS管的漏极端接地，第五MOS管的源极端与第八MOS管的源极端相连，第八MOS管的栅极端与第七MOS管的栅极端、第七MOS管的源极端相连，第七MOS管、第八MOS管的漏极端均接地；第五MOS管、第八MOS管的源极端对应连接后与电流输入DAC电路相连。

所述PMOS电流镜电路包括第三MOS管及第四MOS管，所述第三MOS管的栅极端与第三MOS管的漏极端、第四MOS管的栅极端相连，第三MOS管、第四MOS管的源极端相互连接后接地；第三MOS管的栅极端、第三MOS管的漏极端均与第一MOS管的漏极端相连，第四MOS管的漏极端与第二MOS管的漏极端相连。

所述第三MOS管与第四MOS管均为PMOS管。

所述第一MOS管、第二MOS管均为NMOS管。

所述第五MOS管、第六MOS管均为NMOS管，第五MOS管与第六MOS管形成NMOS电流镜。