[实用新型]高线性度可编程跨导放大器电路有效
| 申请号： | 201220365406.6 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN202798587U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 陈珍海;季惠才;吴俊;封晴;于宗光 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线性 可编程 放大器 电路 | ||
1.一种高线性度可编程跨导放大器电路，包括PMOS电流镜电路及差分输入对；所述差分输入对包括第一MOS管（M1）及第二MOS管（M2）；其特征是：所述第一MOS管（M1）的源极端通过第一源极电阻（R1）与第五MOS管（M5）的漏极端相连，且第二MOS管（M2）的源极端通过第二源极电阻（R2）与第五MOS管（M5）的漏极端相连；第五MOS管（M5）的栅极端与第六MOS管（M6）的栅极端、第六MOS管（M6）的源极端相连，第六MOS管（M6）的漏极端接地，第五MOS管（M5）的源极端与第八MOS管（M8）的源极端相连，第八MOS管（M8）的栅极端与第七MOS管（M7）的栅极端、第七MOS管（M7）的源极端相连，第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）的漏极端均接地；第五MOS管（M5）、第八MOS管（M8）的源极端对应连接后与电流输入DAC电路（1）相连。
2.根据权利要求1所述的高线性度可编程跨导放大器电路，其特征是：所述PMOS电流镜电路包括第三MOS管（M3）及第四MOS管（M4），所述第三MOS管（M3）的栅极端与第三MOS管（M3）的漏极端、第四MOS管（M4）的栅极端相连，第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）的源极端相互连接后接地；第三MOS管（M3）的栅极端、第三MOS管（M3）的漏极端均与第一MOS管（M1）的漏极端相连，第四MOS管的漏极端与第二MOS管（M2）的漏极端相连。
3.根据权利要求2所述的高线性度可编程跨导放大器电路，其特征是：所述第三MOS管（M3）与第四MOS管（M4）均为PMOS管。
4.根据权利要求1所述的高线性度可编程跨导放大器电路，其特征是：所述第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）均为NMOS管。
5.根据权利要求1所述的高线性度可编程跨导放大器电路，其特征是：所述第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）均为NMOS管，第五MOS管（M5）与第六MOS管（M6）形成NMOS电流镜。
6.根据权利要求1所述的高线性度可编程跨导放大器电路，其特征是：所述第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）均为NMOS管，第七MOS管（M7）与第八MOS管（M8）形成NMOS电流镜。
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