[实用新型]一种功率开关管的过流检测电路

权利要求书

1.一种功率开关管的过流检测电路，其特征在于，该过流检测电路包括：

利用采样金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS)和放大器对功率开关管进行电流采样，将采样电流转换为采样电压传输到比较电路，并通过串接钳位MOS管对所述放大器的输出端电路和比较电路的工作电压进行钳位的采样电路；

比较采样电压与参考电压的大小，输出过流检测结果的比较电路。

2.根据权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述功率开关管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)、或P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)。

3.根据权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述钳位MOS管为NMOS。

4.根据权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述采样电路包括：采样MOS管、放大器、钳位MOS管、负反馈控制MOS管、分压电阻；其中，

所述采样MOS管与功率开关管共栅共漏连接，栅极均连接第一偏置电压，漏极均连接输入电压，所述采样MOS管的源极连接放大器的正输入端和钳位MOS管的漏极，所述功率开关管的源极连接放大器的负输入端；放大器的输出端连接负反馈控制MOS管的栅极；钳位MOS管的栅极连接第二偏置电压，源极连接分压电阻；分压电阻的一端连接钳位MOS管的源极、比较电路中的参考电阻和比较器的供电端，另一端连接负反馈控制MOS管的漏极及比较电路中比较器的负输入端；负反馈控制MOS管的源极接地；

比较电路包括：参考电阻、参考电流源、比较器；所述参考电阻与参考电流源的公共端连接比较器的正输入端。

5.根据权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述采样电路包括：采样MOS管、放大器、两个钳位MOS管分别为第一钳位MOS管和第二钳位MOS管、负反馈控制MOS管、分压电阻、镜像MOS管；所述采样MOS管与功率开关管共栅共漏连接，栅极均连接第一偏置电压，漏极均连接输入电压，所述采样MOS管的源极连接放大器的正输入端和第一钳位MOS管的漏极，所述功率开关管的源极连接放大器的负输入端；放大器的输出端连接负反馈控制MOS管的栅极；第一钳位MOS管的栅极连接第二偏置电压，源极连接负反馈控制MOS管的漏极；第二钳位MOS管的漏极连接输入电压，栅极连接第二偏置电压，源极连接分压电阻、比较电路中的参考电阻和比较器的供电端；分压电阻的一端连接第二钳位MOS管的源极、比较电路中的参考电阻和比较器的供电端，另一端连接镜像MOS管的漏极及比较电路中比较器的负输入端；镜像MOS管与负反馈控制MOS管共源共栅连接，源极均接地；

所述比较电路包括：参考电阻、参考电流源、比较器；所述参考电阻与参考电流源的公共端连接比较器的正输入端。

6.根据权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述放大器包括：第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第一参考电流源、第二参考电流源、钳位二极管、第一NMOS；其中，

第一PMOS与第二PMOS为电流镜级，第三PMOS与第四PMOS为串叠式级，第一PMOS的源极为正输入端，栅极连接自身漏极和第二PMOS的栅极，漏极连接第三PMOS的源极；第二PMOS的源极为负输入端，漏极连接钳位二极管的负极和第四PMOS的源极；第三PMOS的栅极连接自身的漏极和第四PMOS的栅极，漏极连接第一参考电流源；第四PMOS的栅极还连接钳位二极管的正极，漏极连接第五PMOS的源极、第二参考电流源和第一NMOS的栅极；第五PMOS的栅极连接钳位电压，漏极接地；第一NMOS的源极接地，漏极作为输出端，连接第三参考电流源。