[实用新型]一种用于异质结薄膜沉积系统组态

说明书

所属技术领域

本实用新型涉及一种用于异质结薄膜沉积系统组态，此类设备可广泛应用于任何需要于真空下进行加工的制程，例如太阳能硅片镀膜加工。

背景技术

异质结的真空镀膜设备，由于制程需要经由化学气象沉积设备沉积非晶硅薄膜，之后再经由溅镀设备溅镀导电薄膜,由于两种薄膜的沉积属于不同种类的设备，因此皆采用分布式直线真空镀膜设备，然而硅片在一般环境容易遭受污染进而影响后续的效率；若设置大范围的无尘环境，虽然可克服此一问题，但整体设置成本过高，无法达到降低成本的要求，同时，设置面积因直线式得关系而加大设置面积，因此在量产上亟欲解决此一问题。

发明内容

本实用新型主要目的系提供一种用于异质结薄膜沉积系统组态，来改善现有直线式真空镀膜设备占地面积大、制造成本高的问题。

 为了达成上述实用新型目的，本实用新型的技术方案是提供一种用于异质结薄膜沉积系统组态分别跨越两种不同洁净区域的第一区域、第二区域及第三区，其中第一区域的环境洁净度高于第二区域及第三区；该异质结薄膜沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第二承载室、第三承载室及多个镀膜反应室、沉积室和卸载区，其中的特点是：

所述之异质结薄膜沉积系统组态呈一半的H型设置，其中加载台、自动交换区及卸载台设置在洁净度要求较高的第一区域；

所述之异质结薄膜沉积系统组态第一承载室、多个镀膜反应室设置在洁净度要求较低的第二区域，构成半H型的左翼部分；

     所述之异质结薄膜沉积系统组态第二承载室、多个镀膜反应室设置在洁净度要求较低的第二区域，构成半H型的右翼部分；

     所述之异质结薄膜沉积系统组态第三承载室、多个沉积室设置在洁净度要求较低的第三区域，构成半H型的下半翼部分；

所述之异质结薄膜沉积系统组态的维修区域设置在半H型的左翼及右翼中；

在上述异质结薄膜沉积系统组态整体设制成半H型，加载台、自动交换区及卸载台设置在洁净度要求较高的第一区域，无需再另行设置洁净度高的回传机构将沉积的异质结太阳能电池硅片回传，第二区域进行异质结太阳能电池硅片的非晶硅薄膜沉积，透过本身腔室的内部传动将异质结太阳能电池硅片回传至第一区域既可交换的动作。完成第二区域的非晶硅薄膜沉积后硅片可透过第一区域传至第三区域进行硅片导电薄膜的溅镀，有效降低生产成本，同时可以保证异质结太阳能电池硅片不受环境污染，同时整体承半H型设置有效降低所述异质结太阳能电池系统硅片占地面积，同时利用半H型左翼及右翼中的区域设置维修区域，能在进一步降低占地面积，无需另外再设置维修，做到更有效节省生产占地面积。

附图说明

图1系为本实用新型示意图。

主要组件符号说明。

101．．．第一区域。

102．．．第二区域。

103．．．加载区。

104．．．自动交换区。

105．．．卸载区。

106．．．第一承载室。

107．．．第一反应室。

108．．．第二反应室。

109．．．第二承载室。

110．．．第三反应室。

111．．．第四反应室。

112．．．维修区。

113．．．隔离阀门。

114．．．第三承载室。

115．．．第一缓冲室。

116．．．第一沉积室。

117．．．第二沉积室。

118．．．第二缓冲室。

119．．．第三卸载室。

120．．．第三区域。

具体实施方式

为使方便简捷了解本发明之其他特征内容与优点及其所达成之功效能够更为显现，兹将本实用新型配合附图，详细說明如下：请參阅图1，本实用新型之主要目的系一种用于异质结薄膜沉积系统组态，该一种用于异质结薄膜沉积系统组态呈半H型设置，包括依序连接的加载区103、自动交换区104和卸载区105构成的第一区域为半H型设置的横向运动传送结构；其中所述之第一承载室106、第一反应室107、第二反应室108构成第二区域为半H型设置的左翼部分；其中所述之第二承载室109、第三反应室110、第四反应室111构成第二区域为半H型设置的右翼部分；其中所述之第三承载室114、第一缓冲室115、第一沉积室116、第二沉积室117、第二缓冲室118及第三卸载室119构成第三区域为H型设置的下半翼部分。